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4.2 金属-氧化物-半导体场效应管
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4.2.1 金属-氧化物-半导体场效应管的结构
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金属-氧化物-半导体场效应管 （MOSFET ）属于绝缘栅场效应管 （IGFET ）中的一类，
由于其栅极与导电沟道之间通过二氧化硅层是绝缘的，所以栅源之间的电阻非常大，理想情
况下趋于无穷大。下面以N 沟道增强型MOSFET 为例介绍其结构。
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在掺杂浓度较低的P 型硅衬底上，通过扩散或离子注入的半导体器件制作工艺形成两
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个高浓度的N 型区域，分别称为源区和漏区；在两个N 型区域之间的硅衬底表面淀积生长
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一层很薄的二氧化硅层，形成栅区；在源区、漏区、栅区分别淀积金属铝，通过光刻和刻蚀
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工艺制作形成金属电极，分别记为源极 （s 极）、漏极 （d 极）和栅极 （g 极）。为了减小衬
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底效应对器件性能的影响，往往在衬底处引出电极，记为B 极，使用时将其与源极s 相连。
N 沟道增强型MOSFET 的结构示意如图4.3.1 所示。
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