PN结正向压降温度特性的研究.docxVIP

PAGE PAGE 9 实 验 报 告 00 系 2007 级 姓名 宁盛嵩 日期 2008-11-17 NO 八号台 实验题目: PN 结正向压降温度特性的研究 84 实验目的: （1）了解 PN 结正向压降随温度变化的基本关系式。 在恒流供电条件下，测绘 PN 结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度和被测 PN 结材料的禁带宽度。 学习用 PN 结测温的方法。 实验原理 理想 PN 结的正向电流 IF 和压降 VF 存在如下近似关系 qV I ? Is e x p ( F ) （1） F kT 其中 q 为电子电荷；k 为波尔兹曼常数；T 为绝对温度；Is 为反向饱和电流，它是一个和PN 结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明 Is ? CT r qV e x p?[ g (0) ] （2） kT 其中 C 是与结面积、掺质浓度等有关的常数：r 也是常数；Vg(0)为绝对零度时 PN 结材料的导带底和价带顶的电势差。 将（2）式代入（1）式，两边取对数可得 ? k c ? kT V ? V (0) ? ? In ?T ? I n Tr ? V ? V （3） ??F g q I q ? ? F 其中 ? k c ? 1 n1 V ? V (0) ? ? In ?T F1 g ? q I ? F KT ? ? V ? ? I n Tr n1 q 这就是 PN 结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是 PN 结温度传感器的基本方程。令 IF=常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（3）中，除线性项 V1 外还包含非线性项 Vn1 项所引起的线性误差。 设温度由 T1 变为 T 时，正向电压由VF1 变为 V ，由（3）式可得 F ? ?T kT ? T ?r V ? V (0) ? V (0) ? V ? 1 ? ? （4） ??F g g ? ? F1 T 1 q n T 1 按理想的线性温度影响，VF 应取如下形式： ?V V ? V ???F1 (T ? T ) （5） F理想 F1 ?T 1 ?V F1 等于 T1 温度时的 ?VF 值。 ? ?T 由（3）式可得 T ?V V ? F1 ? ? g  (0) ? V F1  ? k r （6） T T q 1 所以 V ? V ? V ? V g F1 ? k ?? T ?? V (0) ? ?V  (0) ? V ?T ? k ?T ? T ?r （7） 理想 F1 ? ?? ? r? T T q ? 1 g g F1 T q 1 1 1 由理想线性温度响应（ 7）式和实际响应（ 4）式相比较，可得实际响应对线性的理论偏差为 ? ? V ? V ? ? k r?T ? T ?? kT T Ln( ) r （8） 理想 F q 1 q T 1 当温度变化范围增大时，VF 温度响应的非线性误差将有所递增，这主要由于 r 因子所致。PN 结测温的依据：在恒流供电条件下，PN 结的 VF 对 T 的依赖关系取决于线性项 V1，即正向 压降几乎随温度升高而线性下降。 必须指出，上述结论仅适用于杂质全部电离、本征激发可以忽略的温度区间 (对于通常的硅二极管来说，温度范围约-50℃—150℃)。如果温度低于或高于上述范围时，由于杂质电离因子减小 或本征载流子迅速增加；V —T 关系将产生新的非线性，这一现象说明 V —T 的特性还随 PN 结的 F F 材料而异，对于宽带材料（如 GaAs）的 PN 结，其高温端的线性区则宽；而材料杂质电离能小（如Insb）的 PN 结，则低温端的线性范围宽，对于给定的 PN 结，即使在杂质导电和非本征激发温度范围内，其线性度亦随温度的高低而有所不同，这是非线性项Vn1 引起的，由Vn1 对 T 的二阶导数 d 2V n1 1 dV ?可知 n1 ? 的变化与 T 成反比，所以 V -T 的线性度在高温端优于低温端，这是 PN 结温 dT 2 T dT F 度传感器的普遍规律。此外，由（4）式可知，减小 I ，可以改善线性度，但并不能从根本上解决 F 问题，目前行之有效的方法大致有两种： 1、对管的两个 be 结（将三极管的基极与集电极短路与发射极组成一个 PN 结），分别在不同电流 I ，I 下工作，由此获得两者电压之差（V - V ）与温度成线性函数关系， F1 F2 即 F1 F2 V ? V F1 F 2 kT I ?In F1 ? q I F 2 由于晶体管的参数有一定的离散性，实际与理论仍存在差距，但与单个 PN 结相比其线性度与精度均有所提高，这种电路结构与恒流、放大等电路集成一体，便构成集成电路温度传感器。