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* – MiNa Material and Machining Lab – 創新的玻璃輔助二氧化碳雷射對矽的加工技術 指導教授：鍾震桂 副教授 報告人:蕭恩柔 作者：林士隆、蕭恩柔、吳孟諭 國立成功大學機械學系暨研究所 研究生 Graduate Student, Dep’t of Mechanical Engineering, NCKU Tel: 06-2757575 ext. 62159-10, E-mail: * 第一页，共十八页。 Silicon have been widely used in the application of IC Chip , solar energy opto-electronics, etc… IC Chip Si Industry and Products Solar Cell Silicon Wafer * 第二页，共十八页。 Application: wafer code name, batch number, the type of the products, trademark, made date. Si Industry and Products * 第三页，共十八页。 Application in our Life 3C Products * 第四页，共十八页。 Wear Traditional Silicon Cutting and Marking Disadvantage: 1.Fracture edge at random 2.Powder and chip 3.Apt to injure hands 4.Not easy to control * 第五页，共十八页。 Commercial Silicon Cutting by Diamond Wheel Disadvantage: 1.Fracture edge at random 2.Powder and chip 3.Unable to cut special form 4.Diamond wheel wear 5.Need using water and tape * 第六页，共十八页。 Nd:YAG Laser Excimer Laser Femtosecond Laser Disadvantage: 1.Expensive 2.Need mask Cutting of thin silicon wafer Commercial Silicon Cutting by Short Wavelength Laser No CO2 laser for Si etching /drilling /cutting * 第七页，共十八页。 專利名稱 :避免產生潑濺碎片之晶圓標號製作方法 專利公告號 : 359885 專利公告日期: 2005.5.27 申請人名稱 : 台灣積體電路製造股份有限公司 Patent Method of Si Wafer Marking * 第八页，共十八页。 Our Novel Approach for Si Micromachining Laser Drilling Laser Etching Patent pending 10 passes 40 passes * 第九页，共十八页。 Heart Sharp Cutting Experimental data Power: 30 W Speed: 5.715 (mm/sec) Pass: 20 In ambient air “Heart”type cutting * 第十页，共十八页。 Cutting of Si Wafer Experimental data Power: 30 W Speed: 5.715 (mm/sec) Pass: 20 In ambient air 4” Silicon wafer cutting Patent pending * 第十一页，共十八页。 Si Marking by CO2 Laser Experiment data Power: 21 W Speed: 5 (mm/sec) Pass: 1 In ambient air “NCKU” marking (a) (b) Patent pending * 第十二页，共十八页。 創意歷程 創意歷程 : ?作者創意源起於CO2雷射對矽晶圓與玻璃的接合技術。 ? 優缺點 : 優點: ?快速、便宜、低成本、低能量功率
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