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在一定的条件下，所加正电压Vg越大，耗尽层就越深，势阱所能容纳的少数载流子电荷的量就越大。 如果有光照射在硅片上， 在光子作用下，半导体硅产生了电子-空穴对，光生电子被附近的势阱所吸收，而空穴被排斥出耗尽区。势阱内所吸收的光生电子数量与入射到该势阱附近的光强成正比。 第六十三页，共一百三十一页。 （3）电荷转移原理 CCD器件基本结构是一系列彼此非常靠近的MOS光敏元，这些光敏元使用同一半导体衬底；氧化层均匀、连续；相邻金属电极间隔极小。任何可移动的电荷都将力图向表面势大的位置移动。 为了保证信号电荷按确定的方向和路线转移，在MOS光敏元阵列上所加的各路电压脉冲要求严格满足相位要求。 第六十四页，共一百三十一页。 （4）电荷注入方法 光注入 光照 η-材料的量子效率； q-电子电荷； Neo-入射光子速率； A-光敏元的受光面积； Tc-注入时间。 第六十五页，共一百三十一页。 电注入 ID-注入电极（输入二极管）； IG-选通脉冲电极（输入栅）。 第六十六页，共一百三十一页。 （5）电荷的输出 UA＝UD-Id·R 电流输出方式 第六十七页，共一百三十一页。 2. CCD固体图像传感器的分类 （1）线阵型CCD图像传感器 转移栅 光敏单元 不透光 输出 移位寄存器 结构特点：光敏单元与转移单元一一对应。 工作特点：转移效率低。 单沟道 第六十八页，共一百三十一页。 转移栅 光积分单元 输出 移位寄存器1 移位寄存器2 结构特点：单/双数光敏元件中分别对应上/下方的移位寄存器； 工作特点：转移效率提高一倍。 双沟道 第六十九页，共一百三十一页。 结构特点：光敏区和存储区分开，存储区负责电荷的存储和转移。 工作特点：曝光和数据传输可以同时进行。 （2）面型CCD图像传感器 面型CCD图像传感器由感光区、信号存储区和输出寄存器三部分组成。目前存在三种典型结构形式。 帧转移型 第七十页，共一百三十一页。 全帧扫描型 结构特点：光敏区和存储区在同一区域。 工作特点：曝光和数据传输必须分开进行。即曝光时不能转移电荷，转移电荷时不能曝光，必须用快门遮挡。 第七十一页，共一百三十一页。 结构特点：光敏单元和存储单元相邻； 工作特点：曝光和数据传输可以进行。 行间传输型 第七十二页，共一百三十一页。 分辨率 分辨率是指摄像器件对物像中明暗细节的分辨能力，是图像传感器最重要的特性之一，主要取决于感光单元之间的距离。 灵敏度 单位照度下，单位时间、单位面积发射的电量称为CCD传感器的灵敏度。 动态范围 CCD传感器能分辨的最强光信号与最弱光信号强度之比。的动态范围一般在103～104数量级。 第七十三页，共一百三十一页。 暗电流 在无光照情况下CCD传感器的输出电流称为暗电流。 暗电流起因于热激发产生的电子-空穴对，是缺陷产生的主要原因。光信号电荷的积累时间越长，其影响就越大。暗电流的产生不均匀，在图像传感器中出现固定图形，暗电流限制了器件的灵敏度和动态范围。 噪声 CCD是低噪声器件，但由于其他因素产生的噪声会叠加到信号电荷上，使信号电荷的转移受到干扰。噪声的来源有转移噪声、散粒噪声、电注入噪声、信号输入噪声等。 第七十四页，共一百三十一页。 噪声 CCD是低噪声器件，但由于其他因素产生的噪声会叠加到信号电荷上，使信号电荷的转移受到干扰。噪声的来源有转移噪声、散粒噪声、电注入噪声、信号输入噪声等。 第七十五页，共一百三十一页。 5.3 光电传感器的应用 5.3.1 灯光亮度自动控制器 晶闸管 输出脉冲宽度反比于环境光照度，从而达到改变晶闸管导通角的目的。 第七十六页，共一百三十一页。 2 3 1 (a) 透射式 —光电数字式转速表工作原理图 5.3.2 光电转速传感器 2 3 1 (b) 反射式 第七十七页，共一百三十一页。 5.3.2 邮政信函过戳装置 工作原理：当信函未到来时，光源的光线照在光电三极管上，光电流增大，使三极管T1导通饱和，三极管T2截止，继电器释放，过戳机构不动作。当信函到来把光线挡住，光电三极管的电流为暗电流，由于暗电流很小，使三极管T1截止，三极管T2导通，继电器吸合使常开触点闭合，过戳机构动作。 第七十八页，共一百三十一页。 5.3.3 条形码扫描笔 扫描笔输出序列 条形码扫描笔结构 发光二极管 第七十九页，共一百三十一页。 5.3.4 照度计 光电池:VOC=1.5-