IC芯片封装流程.pptVIP

IC Package （IC的封装形式） 按封装材料划分为： 金属封装 陶瓷封装 塑料封装 金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品； 陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场； 塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额； IC Package （IC的封装形式） 按与PCB板的连接方式划分为： PTH SMT PTH-Pin Through Hole, 通孔式； SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。 目前市面上大部分IC均采为SMT式的 SMT Introduction of IC Assembly ProcessIC封装工艺简介 FOL– Back Grinding背面减薄 Taping 粘胶带 Back Grinding 磨片 De-Taping 去胶带 将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到  封装需要的厚度（8mils~10mils）； 磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域  同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度； FOL– Wafer Saw晶圆切割 Wafer Mount 晶圆安装 Wafer Saw 晶圆切割 Wafer Wash 清洗 将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落； 通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的  Die Attach等工序； Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer； FOL– Wafer Saw晶圆切割 Wafer Saw Machine Saw Blade(切割刀片)： Life Time：900~1500M；Spindlier Speed：30~50K rpm：Feed Speed：30~50/s; FOL– 2nd Optical Inspection二光检查 主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现废品。 Chipping Die  崩 边 FOL– Die Attach 芯片粘接 Write Epoxy 点银浆 Die Attach 芯片粘接 Epoxy Cure 银浆固化 Epoxy Storage：零下50度存放； Epoxy Aging：使用之前回温，除去气泡； Epoxy Writing：点银浆于L/F的Pad上，Pattern可选； FOL– Die Attach 芯片粘接 芯片拾取过程：1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜；2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer  到L/F的运输过程；3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s； FOL– Die Attach 芯片粘接 Epoxy Write：Coverage 75%; Die Attach：Placement0.05mm; FOL– Epoxy Cure 银浆固化 银浆固化： 175°C，1个小时；N2环境，防止氧化： Die Attach质量检查： Die Shear（芯片剪切力） FOL– Wire Bonding 引线焊接 利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和 Lead通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接 点，Lead是 Lead Frame上的 连接点。 W/B是封装工艺中最为关键的一部工艺。 FOL– Wire Bonding 引线焊接 Key Words： Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊点； EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点（Bond Ball）； Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点，一般为一个球形； Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）； W/B四要素：压力