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2022年光刻胶行业深度研究 1. 光刻胶是图形复刻加工技术中的关键性材料 1.1光刻胶是图形复刻加工技术中的关键性材料 光刻胶是图形复刻加工技术中的关键性材料。光刻胶是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加 工基片上的图形转移介质，由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等主要化学品成分和其他助剂组成，在紫外光、深紫外光、电 子束、离子束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，最终得到所需图像。在光刻工艺 中，光刻胶被均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上，经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜上， 形成与掩膜版完全对应的几何图形。虽然不同光刻胶的成分百分比有差异，但半导体光刻胶中的树脂的含量一般在20%以 下。总体来说适用于波长越短的光刻胶，树脂的含量越低，溶剂的含量越高，溶剂含量高的能到80%。例如G线和I线光刻胶 的树脂含量在10-20%，KrF光刻胶树脂含量10%以下，ArF及EUV光刻胶树脂含量在5%以下。 1.2 光刻胶发展历经七十年 光刻胶历经七十年发展历史。光刻胶起源于美国，柯达KTFR光刻胶为光刻胶工业的开创者；1950s贝尔实验室尝试开发首块集 成电路，半导体光刻胶由此诞生；光刻胶不断推进产业演进，i线/g线光刻胶的产业化始于上世纪70年代，KrF光刻胶的产业化 也早在上世纪80年代就由IBM完成。 1.3 光刻胶主要参数：品质是赢得市场的关键 光刻胶是光刻工艺中最重要的耗材，其品质决定了成品的精度和良率。微小的误差即可能付出成本高昂的代价。 因此，半 导体制造商更关注光刻胶的品质、性能、不同批次间的一致性而非价格。 1.4 光刻胶的分类：按显影效果不同可分为正光刻胶和负光刻胶 正光刻胶是指在光刻过程中，暴露在光线下的部分可溶于光刻胶显影剂，而未曝光部分仍然溶于显影剂。负光刻胶刚好和正 光刻胶相反，是指在光刻工艺中，暴露在光线下的部分不溶于显影剂，未曝光部分则可以被光刻胶显影剂所溶解。由于负光 刻胶在曝光和显影过程中容易发生变形，导致其分辨率精度不如正光刻胶。因此正光刻胶在高端半导体光刻胶，如ArF光刻 胶及EUV光刻胶中应用更为普遍。 1.5 无机光刻胶：未来光刻胶的一个前进方向 一直以来半导体工业使用的光刻胶均为聚合物光刻胶，这些光刻胶也被称为化学增幅型光刻胶（Chemically Amplified Resists: CAR），其原理是吸收光并产生质子（酸），从而改变聚合物在蚀刻溶液中的溶解度。然而，聚合物光刻胶在10nm级别时遇 到了问题。到目前为止，几十nm级的线条图案规则都是基于使用发射波长为160 nm左右的浸入式ArF光源的光刻技术，这在 聚合物材料的光吸收和反应范围内。然而，在EUV下，波长是13.5nm，传统的有机聚合物对这些超短波难以产生良好的反 应。另外，当线宽幅度达到10nm左右时，即使做出图案，也会发生抗蚀墙壁面塌陷或者粘连不稳定等问题。直观地讲，在 纳米水平上，要在 缓慢溶解 的系统中保持半导体内的LWR、LER等互连相关值的稳定性和低变异性极为困难。 1.6 光刻机：验证光刻胶的必需设备 开发出的光刻胶是否满足需求，需要光刻机来配合验证。光刻机，又名“掩模对准曝光机”，是芯片光刻工艺的核心设备， 发展至今集成了各种尖端科技，是现代精密科技的集大成者。从g线的436纳米到EUV的13.5纳米，随着光源波长的不断缩 短，对科技的要求也越来越高。目前高端光刻机市场90%的市场份额均属于荷兰公司ASML，最先进的EUV光刻机目前也只有 ASML有能力生产。一台最先进的EUV光刻机的售价高达26亿元人民币。 1.7 光刻工艺的主要流程 光刻工艺的流程按照先后顺序可分为：前处理、涂胶、软烘烤、对准曝光、PEB、显影、硬烘烤、检验等八步。每一步对于 工艺都有极高的要求。极其细微的差错都有可能导致成品良品率的急剧下降。 1.8 光刻胶是电子化学品中技术壁垒最高的材料 光刻胶是集成电路制造的核心材料。在集成电路制造工艺中，光刻的成本往往占到整个制造工艺35%，耗费的时间则高达 60%，光刻胶的质量将直接影响集成电路制造成本、良率及性能。 2. 半导体制程进步使得对光刻胶的需求增加 2.1 半导体制程进步使得对光刻胶的需求增加 根据摩尔定律，每18个月单位面积内晶体管数量会增加一倍。这就要求晶体管的尺寸不断缩小。芯片制程2012年实现 28nm，2017年实现10nm，2018年实现7nm，2020年进入5nm时代。目前3nm工艺已经完成验证，预计2023年可以实现量产。 3. 全球光刻胶市场规模持续稳定增长，各细分市场格局差异较大 3.1 光刻胶市场规模持续增长 根据 Reportlinker 2020 年发布的报告，2026 年光刻胶市场