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0.?? 引 言
随着高新技术的飞速涌现，电荷耦合器件 (Charge Coupled Devices，CCD) 凭借其线性度好、灵敏度高、光谱响应范围宽等特点在各领域均有广泛应用[1-3]。目前在光电对抗中，激光武器能够对光学设备精确打击，使光电探测器表面结构发生改变，造成探测器损伤，而且武器的严重打击如激光热作用会导致探测器丧失成像能力以至无法使用[4-5]。由于光电探测器是光学成像系统中的关键组成部分，非合作目标的光电探测器是否损伤决定了实际应用效果的好坏，因此，实时准确评估光电探测器表面损伤状态至关重要。
鉴于光电探测器的重要地位，研究者们对CCD损伤机理开展了大量研究。2011年，邱
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