第九章电力半导体器件.pptVIP

1-* 第五节 功率场效应晶体管 功率MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 ?功率MOSFET主要是N沟道增强型。 一、功率MOSFET的结构和工作原理 1-* 第五节 功率场效应晶体管 功率MOSFET的结构 是单极型晶体管。 导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。 采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。 图9.5-1 功率MOSFET的结构和电气图形符号 1-* 第五节 功率场效应晶体管 小功率MOS管是横向导电器件。 功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。 按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。 这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。 功率MOSFET的结构 1-* 第五节 功率场效应晶体管 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 图9.5-1 功率MOSFET的结构和电气图形符号 功率MOSFET的工作原理 1-* 第五节 功率场效应晶体管 ?(1) 静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 饱和区 非 饱 和 区 截止区 I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A 图9.5-2 功率MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 2）功率MOSFET的基本特性 G S D V GS + - V DS + - n-channel 1-* 第五节 功率场效应晶体管 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应GTR的饱和区） 工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 图9.5-2功率MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 MOSFET的漏极伏安特性： 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 饱和区 非 饱 和 区 截止区 I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A 漏源电压增加时 漏极电流不再增加 饱和 非饱和 漏源电压增加时 漏极电流相应增加 1-* 第五节 功率场效应晶体管 图9.5-2功率MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性 MOSFET的漏极伏安特性： 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 饱和区 非 饱 和 区 截止区 I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A MOSFET在漏极和源极之间形成一个反向并联的寄生二极管，与MOSFET构成整体，使得在漏、源极间加反向电压时器件导通。 需要保持Vgs的值，以使电流通过，门电流为零，除了开关作用期间的充放电过程。开关时间短（几个ns-几百ns）。源漏极之间的导通电阻为阻断电压的函数。BVDSS（Blocking Voltage）缺点是导通电阻较大。 Rds（on）=kBVss，k取决于器件的几何尺寸，正的温度特性。 1-* 第五节 功率场效应晶体管 开通过程 开通延迟时间td(on):从uP前沿时刻到 uGS = UT 并开始出现 iD的这段时间 上升时间tr