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图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 双晶体管模型 工作原理 返回 * 第二十九页，共六十五页。 图1-8 晶闸管的伏安特性 IG2IG1IG 返回 * 第三十页，共六十五页。 图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形 返回 * 第三十一页，共六十五页。 图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性 电气图形符号 伏安特性 返回 * 第三十二页，共六十五页。 图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 电气图形符号 伏安特性 返回 * 第三十三页，共六十五页。 图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 电气图形符号 伏安特性 返回 * 第三十四页，共六十五页。 图1-13 GTO的内部结构和电气图形符号 c) 电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 返回 * 第三十五页，共六十五页。 图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形 返回 * 第三十六页，共六十五页。 图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 内部结构断 面示意图 电气图形 符号 内部载流子 的流动 返回 * 第三十七页，共六十五页。 图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性 返回 * 第三十八页，共六十五页。 图1-17 GTR的开通和关断过程电流波形 返回 * 第三十九页，共六十五页。 图1-18 GTR的安全工作区 返回 * 第四十页，共六十五页。 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 内部结构断面示意图 电气图形符号 返回 * 第四十一页，共六十五页。 图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 转移特性 输出特性 返回 * 第四十二页，共六十五页。 图1-21 电力MOSFET的开关过程 测试电路 开关过程波形 up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻， 返回 RG—栅极电阻，RL—负载电阻，RF—检测漏极电流 * 第四十三页，共六十五页。 图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 返回 内部结构断面 示意图 简化等 效电路 电气图形 符号 * 第四十四页，共六十五页。 图1-23 IGBT的转移特性和输出特性 转移特性 输出特性 返回 * 第四十五页，共六十五页。 ?图1-24 IGBT的开关过程 返回 * 第四十六页，共六十五页。 西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作 西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作 西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作 1.7 电力电子器件器件的保护 1.7 电力电子器件器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路（Snubber Circuit） * 第一页，共六十五页。 1.7 电力电子器件器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 电力电子装置可能的过电压—外因过电压和内因过电压 外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因 (1) ? 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起 (2) ? 雷击过电压：由雷击引起 内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 (1) ? 换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压 (2) ? 关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压 ■ * 第二页，共六十五页。 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 过电压保护措施 图1-34　过电压抑制措施及配置位置 F?避雷器　D?变压器静电屏蔽层　C?静电感应过电压抑制电容 RC1?阀侧浪涌过电压抑制用RC电路　RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路 RV?压敏电阻过电压抑制器　RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路 RC4?直流侧RC抑制电路　RCD?阀器件关断过电压抑制用RCD电路 电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种 其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电 路范畴 ■ * 第三页，共六十五页。 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 外因过电压