西安交通大学微电子制造技术第十二章金属化.pptVIP

自对准硅化物 STI TiSi2 STI S G D TiSi2 TiSi2 TiSi2 减少的方阻 减少栅的电阻 减少的接触电阻 减少的二极管 漏电 Figure 12.12 第三十一页，共七十三页。 自对准金属硅化物的形成 2. 钛淀积 Silicon substrate 1. 有源硅区 场氧化层 侧墙氧化层 多晶硅 有源硅区 3. 快速热退火处理 钛硅反应区 4. 钛刻蚀 TiSi2 形成 Figure 12.13 第三十二页，共七十三页。 金属填充塞 多层金属化产生了对数以十亿计的通孔用金属填充塞填充的需要，以便在两层金属之间形成电连接。目前被用于填充的最普通的金属是钨，因此填充薄膜常常被称为钨填充薄膜(图12.14)。钨具有均匀填充高深宽比通孔的能力，因此被选作传统的填充材料。钨可抗电迁徒引起的失效，因此也被用作阻挡层以禁止硅和第一层之间的扩散及反应。 钨是难熔材料，熔点为：3417℃，在20℃时，体电阻率是52.8μΩ-cm。 铝虽然电阻率比钨低，但溅射的铝不能填充具有高深宽比的通孔，基于这个原因，铝被用作互连材料，钨被限于做填充材料。 第三十三页，共七十三页。 多层金属的钨填充塞 早期金属化技术 1. 厚氧化层淀积 2. 氧化层平坦化 3. 穿过氧化层刻蚀接触孔 4. 阻挡层金属淀积 5. 钨淀积 6. 钨平坦化 1. 穿过氧化层刻蚀接触孔 2. 铝淀积 3. 铝刻蚀 在接触孔 (通孔) 中的钨塞 氧化硅 (介质) 铝接触孔 氧化硅 (介质) 现代金属化技术 Figure 12.14 第三十四页，共七十三页。 SiO2 Photo 12.2 IC 中的金属塞 第三十五页，共七十三页。 金属淀积系统－物理气相淀积 (PVD) 用于半导体制造业的传统金属化工艺归并到被称为物理气相淀积(PVD)一类。PVD开始是用灯丝蒸发实现的，接着是用电子束，最近是通过溅射。物理气象淀积已成为淀积金属薄膜最常用的技术。 在SSI和MSI集成电路时代，蒸发是主要的金属化方法。由于蒸发工艺台阶覆盖的特性差，所以后来被溅射取代。被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是： 蒸发 溅射 金属 CVD 铜电镀 第三十六页，共七十三页。 蒸 发 在芯片制造的早期，所有金属层都是通过蒸发(PVD)方法淀积的。为了获得更好的台阶覆盖、间隙填充和溅射速度，在70年代后期大多数芯片制造技术领域蒸发已被溅射取代。 蒸发由待蒸发的材料放进坩锅，在真空系统中加热并使之蒸发(见图12.15)。最典型的加热方法是利用电子束加热放置在坩锅中的金属。在蒸发中保持高真空环境。被蒸汽分子的自由程增加，并在真空腔里以直线形式运动，直到它撞击表面凝结形成薄膜。 蒸发的最大缺点是不能产生台阶覆盖；性能上不能形成具有深宽比大于1:1的连续薄膜；还有对淀积合金的限制。 第三十七页，共七十三页。 机械泵 高真空阀 高真空泵 工艺腔 (钟罩) 坩锅 蒸发金属 载片盘 Figure 12.15 简单的蒸发装置 第三十八页，共七十三页。 溅 射 溅射是物理气相淀积形式之一，主要是一个物理过程，而非化学过程，在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料(固体平板)，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。 溅射的优点是: 1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力； 2.能够淀积只有高温才能熔化的难熔金属； 3.能够控制在直径为200mm或更大的硅片上淀积均 匀薄膜； 4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片 表面沾污和自然氧化层。 第三十九页，共七十三页。 尾气 e- e- e- DC 直流二极管 溅射装置 衬底 1) 电场产生 Ar+ 离子 2) 高能Ar+ 离子和 金属靶撞击 3) 将金属原子 从 靶中撞击 阳极(+) 阴极 (-) 氩原子 电场 金属靶 等离子体 5) 金属淀积在衬底上 6) 用真空泵将多余 物质从腔中抽走 4) 金属原子向衬底迁移. 进气 + + + + + Figure 12.16 简单平行金属板直流二极管溅射系统 第四十页，共七十三页。 基本溅射步骤 在高真空腔等离子体中产生正氩离子，并向具有负电势的靶材料加速； 在加速过程中获得动量，并轰击靶； 离子通过物理过程从靶上撞击出（溅射）原子，靶具有想要的材料组分； 被撞击（溅射）出的原子迁移到硅片表面； 被溅射的原子在硅片表面凝聚形成薄膜，与靶材料相比，薄膜具有与它基本相同的材料组分； 额外材料由真空泵抽