《光电子器件制备技术》课程教学大纲（模板）.docVIP

《光电子器件制备技术》课程教学大纲 一、课程基本情况 课程编号：083N04B 学分：2 周学时：3 总学时：17+34 开课学期：3.2 开课学院：理学院 英文名称：The principles of the solar cells 适用专业：物理学以及微电子科学与工程专业 课程类别：专业任意选修课 课程修读条件：先修大学物理 网络课程地址: 课程负责人： 所属基层学术组织：微电子科学与工程专业 二、课程简介 主要介绍光电子器件制备工艺中有关的物理、化学知识，工艺过程、工艺设备以及IC制备中的新技术、新方法。主要内容涉及硅材料及硅化合物化学性质，半导体光电子器件制备技术（氧化技术、扩散技术、刻蚀技术、制版技术、外延生长技术、金属化处理技术、电子封装技术）。 三、教学目标 总目标：光电子器件制备课程是电子科学与技术专业的学科基础课，通过本课程的学习应使学生对光电子器件制备的基本方法和基本技术有比较全面、系统的认识，培养学生分析和解决工程技术问题的能力，为进一步学习相关专业课打下基础。 知识目标：通过学习专业性较强的内容，达到对光电子器件相关技术的理解和应用。 能力目标：通过学习光电子器件制备的相关知识，培养学生掌握在光电子器件技术领域分析和解决工程技术问题的能力。 素质目标：掌握光电子器件相关基础知识和基本技术。 四、教学内容及学时分配（应体现教学单元的教学目标、基本内容、学时分配、教学方法、课外学习任务及要求等内容） 硅材料及硅化合物化学性质（8学时） 了解硅单晶的化学性质、硅化合物的化学性质、高纯硅制备的化学原理。 微电子技术中的高纯水制备（6学时） 了解天然水中的杂质、微电子技术工程用水、离子交换法制备纯水、电渗析法制备纯水的原理、反渗透法制备纯水的原理 微电子技术中的化学清洗（6学时） 了解晶片清洗的基本理论和方法、颗粒吸附状态分析及优先吸附模型、表面活性剂在化学清洗中的应用、硅片清洗的常用方法与技术、溶液清洗技术的现状和发展方向 氧化工艺技术（12学时） 了解二氧化硅膜在器件中的作用、二氧化硅的结构和性质、二氧化硅膜制备的化学原理、二氧化硅一硅界面的物理性质、二氧化硅玻璃中的杂质、二氧化硅膜质量的检验 扩散工艺技术（8学时） 了解扩散原理与模型、常用扩散杂质的化学性质、扩散分布的测量分析 刻蚀工艺技术（8学时） 了解湿法刻蚀、干法刻蚀、刻蚀技术新进展 制版工艺技术（4学时） 了解制版工艺过程、超微粒干版制备的化学原理、铬版制备技术、氧化铁版制备的化学原理 外延生长技术（8学时） 了解硅外延技术在IC发展中的作用、硅外延生长的化学原理、外延生长动力学、外延层中杂质浓度分布、硅烷热分解法外延与选择外延、硅外延自掺杂效应及控制、硅外延生长的工艺优化——反向补偿法 金属化处理技术（4学时） 了解化学气相沉积金属过程、物理气相沉积金属过程 电子封装技术（4学时） 了解封装技术概述、陶瓷封装、塑料封装、封装的化学原理 五、考核及成绩评定方式（请明确说明教学过程考核方式和期末考核方式，各项考核成绩占课程总成绩的比例，原则上平时成绩比重不低于50%。） 序号 考核方式 成绩比重（%） 1 平时成绩 40 2 期末考试 60 合计 六、教材及参考书目： 类别 教材名称 编者 出版社 出版时间 教材 微电子工艺基础 李薇薇 等 化学工业出版社 2007.1 参考书 微加工导论 （芬兰） 弗兰西拉（ Franssila，S. 著， 陈迪 等译 电子工业出版社 2006.1 撰写人： 审核人： 制定时间： 年 9月19