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《集成电路工艺原理》课程教学大纲 一、课程基本情况 课程编号：083P42A 学分：3 周学时：3 总学时：51 开课学期：3.2 开课学院：理学院 英文名称：Integrated Circuit Technology and Principle 适用专业：微电子学与固体电子学、微电子技术、集成电路设计 课程类别：专业方向模块课 课程修读条件：大学物理、模拟电路、半导体物理、集成电路原理 网络课程地址: 课程负责人： 所属基层学术组织：微电子系 二、课程简介 本课程是应用物理微电子方向专业的一门专业选修课。开设本课程的目的在 于完善专业学生的微电子技术及集成电路底层设计的知识结构。该课程以当代超 大规模集成电路的小尺寸特征为切入点，围绕抑制小尺寸效应的现代工艺技术， 展开介绍了目前较为成熟的集成电路制造工艺技术，重点介绍核心工序及关键制 造工艺过程的基本原理，其中包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻 蚀、金属化工艺以及工艺集成等内容。 三、教学目标 总目标：注重培养学生理论联系实际的能力、确立科学研究的思想方法、创 新能力以及实践能力等，为将来从事微电子、集成电路设计、电子材料及相关学 科的科学研究、工程设计奠定扎实的理论与实践基础。 知识目标：重点掌握核心工序及关键制造工艺过程的基本原理，其中包括氧 化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺以及工艺集成等内容 能力目标：注重培养学生理论联系实际的能力、确立科学研究的思想方法、 创新能力以及实践能力。 素质目标：为将来从事微电子、集成电路设计、电子材料及相关学科的科学 研究、工程设计奠定扎实的理论与实践基础。 四、教学内容及学时分配 第 0 章绪论 （2 学时） 0.1 何谓集成电路工艺 0.2 集成电路制造技术发展历程 0.3 集成电路制造技术特点 第 1 章单晶硅特性 （2 学时） 1.1 硅晶体的结构特点 1.2 硅晶体缺陷 1.3 硅晶体中的杂质 第 2 章硅片的制备（2 学时） 2.1 多晶硅的制备 2.2 单晶硅生长 2.3 切制硅片 第 3 章外延（4 学时） 3.1 概述 3.2 气相外延 3.3 分子束外延 3.4 其他外延方法 3.5 外延缺陷与外延层检测 第 4 章热氧化（4 学时） 4.1 二氧化硅薄膜概述 4.2 硅的热氧化 4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 4.4 热氧化过程中杂质的再分布 4.5 氧化层的质量及检测 4.6 其他氧化方法 第 5 章扩散（5 学时） 5.1 扩散机构 5.2 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 5.3 杂质的扩散掺杂 5.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 5.5 扩散工艺条件与方法 5.6 扩散工艺质量与检测 5.7 扩散工艺的发展 第 6 章离子注入（4 学时） 6.1 概述 6.2 离子注入原理 6.3 注入离子在靶中的分布 6.4 注入损伤 6.5 退火 6.6 离子注入设备与工艺 6.7 离子注入的其他应用 6.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术 第 7 章化学气相淀积（4 学时） 7.1CVD 概述 7.2CVD 工艺原理 7.3CVD 工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7CVD 金属及金属化合物薄膜 第 8 章物理气相淀积（4 学时） 8.1PVD 概述 8.2 真空系统及真空的获得 8.3 真空蒸镀 8.4 溅射 第 9 章光刻工艺（4 学时） 9.1 概述 9.2 基本光刻工艺流程 9.3 光刻技术中的常见问题 第 10 章光刻技术（4 学时） 10.1 光刻掩模版的制造 10.2 光刻胶 10.3 光学分辨率增强技术 10.4 紫外光曝光技术 10.5 其他曝光技术 10.6 光刻设备 第 11 章刻蚀技术（4 学时） 11.1 概述 11.2 湿法刻蚀 11.3 干法刻蚀 11.4 刻蚀技术新进展 第 12 章工艺集成（4 学时） 12.1 金属化与多层互连 12.2CMOS 集成电路工艺 12.3 双极型集成电路工艺 第 13 章工艺监控（2 学时） 13.1 概述 13.2 实时监控 13.3 工艺检测片 13.4 集成结构测试图形 第 14 章封装与测试（2 学时） 14