数字集成电路第三章习题.pdfVIP

1. 如图1所示，为NMOS、PMOS器件，源、栅、漏三端器件，对于下面给出的条件确定每种情况下的工 作模式并计算ID 的值。晶体管参数： 2 -1 NMOS: kn = 115μA/V , VT0 = 0.43 V, λ= 0.06 V ； PMOS: kp = 30μA/V2, VT0 = –0.4 V, λ= -0.1 V-1. 假设 (W/L) = 1. a. NMOS: VGS = 2.5 V, VDS = 2.5 V ； PMOS: VGS = –0.5 V, VDS = –1.25 V. b. NMOS: VGS = 3.3 V, VDS = 2.2 V ； PMOS: VGS = –2.5 V, VDS = –1.8 V. c. NMOS: VGS = 0.6 V, VDS = 0.1 V ； PMOS: VGS = –2.5 V, VDS = –0.7 V. 图1 NMOS、PMOS器件 2. 对于短沟道NMOS器件测量所得数据如表1所列，已知该晶体管的参数VDSAT=0.6V、k = 100μA/V2 ， 计算 VT0, λ、γ、2|φf| 以及 W / L的值。 表1 VGS VDS VSB ID （μA） 1 2.5 1.8 0 1812 2 2 1.8 0 1297 3 2 2.5 0 1361 4 2 1.8 -1 1146 5 2 1.8 -2 1039 3. 根据表2推出器件的重要参数，根据材料，已确定饱和电压VDSAT=-1V ，-2φf=-0.6V。 a. 根据测量数据确定该晶体管为NMOS/PMOS器件，作出合理解释. b. 求解VT0, λ、γ c. 根据上述分析，确定晶体管的工作区（截至区、线性区、饱和区、速度饱和），填入表中。 表2 VGS VDS VBS ID （μA） 工作区 1 -2.5 -2.5 0 -84.375 2 1 1 0 0 3 -0.7 -0.8 0 -1.04 4 -2.0 -2.5 0 -56.25 5 -2.5 -2.5 -1 -72 6 -2.5 -1.5 0 -80.625 7 -2.5 -0.8 0 -66.56 4. 将一个NMOS器件如图2所示放入测试配置装置，输入电压为Vin=2V ，电流源为固定电流50μA ，R为 一个可变电阻，在10kΩ 和 30 kΩ之间变化，M1有短沟道效应，具体已知参数： k’ = 110*10-6 V/A2，VT = 0.4 ，VDSAT = 0.6V ，W/L = 2.5μ/0.25μ ，为了简单起见，体效应和沟道长度 调制忽略，即λ=0, γ=0。 图2. 测试配置装置 a. 当R=10kΩ时，晶体管所处的工作区，求解VD 和 VS. b. 当R=30kΩ时，晶体管所处的工作区，求解VD 和 VS. c. 当R=10kΩ时，如果λ≠0 ，VS 增加还是降低，并作出合理解释