功能材料学教案第08章 半导体材料.pdf

第08 章 半导体材料 20 世纪 70 年代以来，电子技术以前所未有的速度突飞猛进，尤其是微电子技术的兴起， 使人类从工业社会进入信息社会。微电子技术集中反映了现代电子技术的发展特点。大规模 集成电路和超大规模集成电路的出现，对半导体材料提出了愈来愈高的要求，使半导体材料 更加明显地朝着高纯度、高均匀性、高完整性和大尺寸方向发展。 半导体材料的发展与器件紧密相关。可以说，半导体器件对材料的需求是促进半导体材 料研究和开发的主要动力。而材料质量的提高和新型半导体材料的出现，又优化了半导体器 件的性能，并促进了新器件的产生。 目前，利用多种气相沉积技术人们还制造一系列薄膜晶体，其中的分子束外延技术可以 人为地改变薄膜晶体的晶体结构。异质结、超晶格、量子阱等新材料的出现，改变了人们设 计电子器件的思想。半导体材料的发展，有着光明的前景。 8.1 半导体材料分类 8.1.1 元素半导体 元素半导体大约有十几种，在元素周期表上大多数位于 IIIA 族～VIIA 族的金属与非金 属的交界处，如 Si, Ge （锗，三声）, Se （硒，音西）, Te （碲，音帝）等。 8.1.2 化合物半导体 1. 二元化合物半导体 （1）IIIA-VA 族化合物半导体 由IIIA 族元素 Al ，Ga ，In 和 VA 族元素 P ，As ，Sb （锑，音梯）组成的 9 种化合物半 导体，如 AlP ，AlAs ，A1Sb ，GaP ，GaAs ，GaSb ，InP ，InAs ，InSb 等。 （2 ）ⅡB-VIA 族化合物半导体 由ⅡB 元素 Zn ，Cd ，Hg 与VIA 元素 S ，Se ，Te 组成的化合物半导体，如 CdS ，CdTe ， CdSe 等。 （3 ）IVA-IVA 族化合物半导体 由IVA 族的各元素之间组成的化合物半导体，如 SiC 等。 （4 ）IVA-VIA 族化合物半导体 由IVA 和 VIA 族元素组成的化合物半导体，如 GeS ，GeSe ，SnTe ，PbS ，PbTe 等。 （5 ）VA-VIA 族化合物半导体 VA 族和 VIA 族元素组成的化合物半导体，如 AsSe ，AsTe ，AsS ，SbS 等。 3 3 3 3 2. 多元化合物半导体 （1）IB-IIIA- （VIA ） 组成的多元化合物半导体，如 AgGeTe 等。 2 2 （2 ）I B-VA- （VIA ） 组成的多元化合物半导体，如 HgAsSe 等。 2 2 （3 ）（I B ） - ⅡB-IVA- （VIA ） 组成的多元化合物半导体，如 Cu CdSnTe 等。 2 4 2 4 8.1.3 固溶体半导体 固溶体半导体有二元系和三元系之分。 （1）由二种组元互溶的固溶体，如 Ge-Si 固溶体和 Bi-Sb 固溶体等； （2 ）由三种组元互溶的固溶体，如 GaAs-GaP 组成的镓砷磷（GaAs P ）固溶体和 1-x x HgTe-CdTe 两个二元化合物组成的连续固溶体碲镉汞 （Hg Cd Te ）等。 1-x x 8.1.4 非晶态半导体 原子排列短程有序、长程无序的半导体称为非晶态半导体。有非晶态元素半导体和非