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soc工艺双阱CMOS工艺会计学晶片第1页/共41页完整的晶片晶片的横截面横截面放大N阱(N-Well)第2页/共41页N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶N阱掩膜版光刻胶氧化层P型衬底剖面图N阱掩膜版版图N阱(N-Well)第3页/共41页N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶曝光N阱掩膜版显影N阱区域暴露N阱掩膜版光刻胶氧化层P型衬底剖面图N阱掩膜版版图N阱(N-Well)第4页/共41页N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶曝光N阱掩膜版显影N阱区域暴露N型离子注入磷离子等去除光刻胶磷离子注入N阱P型衬底剖面图N阱掩膜版版图P阱(P-Well)第5页/共41页P阱的制作涂敷光刻胶P阱掩膜版N阱光刻胶氧化层P型衬底剖面图N阱掩膜版P阱掩膜版版图P阱(P-Well)第6页/共41页P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露P阱掩膜版N阱光刻胶氧化层P型衬底剖面图N阱掩膜版P阱掩膜版版图P阱(P-Well)第7页/共41页P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露P型离子注入硼离子等去除光刻胶硼离子注入N阱P阱P型衬底剖面图N阱掩膜版P阱掩膜版版图P阱(P-Well)第8页/共41页P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露P型离子注入硼离子等去除光刻胶刻蚀氧化层N阱P阱P型衬底剖面图N阱掩膜版P阱掩膜版版图有源区(Active)第9页/共41页有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶有源区掩膜版N阱P阱P阱SiN光刻胶P型衬底剖面图有源区掩膜版版图有源区(Active)第10页/共41页有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露有源区掩膜版N阱P阱SiN光刻胶P型衬底剖面图有源区掩膜版版图有源区(Active)第11页/共41页有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露刻蚀SiN有SiN的地方会阻止场氧生长N阱P阱SiN光刻胶P型衬底剖面图有源区掩膜版版图有源区(Active)第12页/共41页有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露刻蚀SiN有SiN的地方会阻止场氧生长去除光刻胶生长场氧化层 (FOX)热氧化方法隔离器件N阱P阱场氧化层P型衬底剖面图有源区掩膜版版图有源区(Active)第13页/共41页有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露刻蚀SiN有SiN的地方会阻止场氧生长去除光刻胶生长场氧化层 (FOX)热氧化方法隔离器件去除SiNN阱P阱场氧化层P型衬底剖面图有源区掩膜版版图栅(Gate)第14页/共41页栅的制作生长栅氧化层整个硅片上可忽略场在氧化层上的生长N阱P阱栅氧化层P型衬底剖面图版图栅(Gate)第15页/共41页多晶硅掩膜版栅的制作生长栅氧化层整个硅片上可忽略场在氧化层上的生长淀积多晶硅涂敷光刻胶N阱P阱多晶硅光刻胶栅氧化层P型衬底剖面图多晶硅掩膜版版图栅(Gate)第16页/共41页多晶硅掩膜版栅的制作生长栅氧化层整个硅片上可忽略场在氧化层上的生长淀积多晶硅涂敷光刻胶曝光多晶硅掩膜版显影多晶硅暴露刻蚀多晶硅N阱P阱多晶硅栅氧化层P型衬底剖面图多晶硅掩膜版版图栅(Gate)第17页/共41页栅的制作生长栅氧化层整个硅片上可忽略场在氧化层上的生长淀积多晶硅涂敷光刻胶曝光多晶硅掩膜版显影多晶硅暴露刻蚀多晶硅刻蚀栅氧化层栅下的氧化层受多晶硅保护，未被刻蚀N阱P阱多晶硅栅氧化层P型衬底剖面图多晶硅掩膜版版图pmos的源/漏 (pmos Source/Drain)第18页/共41页pmos源/漏的制作涂敷光刻胶P型注入掩膜版N阱P阱P型衬底剖面图P型注入掩膜版版图pmos的源/漏 (pmos Source/Drain)第19页/共41页pmos源/漏的制作涂敷光刻胶曝光P型注入掩膜版显影P型注入区域暴露P型注入掩膜版N阱P阱P型衬底剖面图P型注入掩膜版版图pmos的源/漏 (pmos Source/Drain)第20页/共41页硼离子注入pmos源/漏的制作涂敷光刻胶曝光P型注入掩膜版显影P型注入区域暴露注入P型掺杂去除光刻胶p+p+p+N阱P阱P+掺杂P+掺杂P型衬底剖面图P型注入掩膜版版图nmos的源/漏 (nmos Source/Drain)第21页/共41页N型注入掩膜版nmos源/漏的制作涂敷光刻胶p+p+p+N阱P阱P型衬底剖面图N型注入掩膜版版图nmos的源/漏 (nmos Source/Drain)第22页/共41页nmos源/漏的制作涂敷光刻胶曝光N型注入掩膜版显影N型注入区域暴露N型注入掩膜版p+p+p+N阱P阱P型衬底剖面图N型注入掩膜版版图nmos的源/漏 (nmos Source/Drain)第23页/共41页砷离子注入nmos源/漏