国家标准GB_地面用硅太阳电池电性能测试方法.pdf

中华人民共和国电子工业部部标准 SJ2196-82 地面用硅太阳电池电性能测试方法 本标准规定了地面用硅太阳电池的电性能测试方法。 适用范围 a ． 无盖片或有盖片的单体硅太阳电池； b ． 硅太阳电池组件 ； c ． 硅太阳电池组合板； d ． 硅太阳电池方阵。 2 原理 在测量硅太阳电池的伏安特性时，用标准硅太阳电池测量或校准光源之光强，也就是把硅太阳电池 的电性能同标准测试条件联系起来。只要所选用的标准硅太阳电池与被测硅太阳电池具有基本相同的 光谱响应，则在太阳光或模拟太阳光下测得的电性能 在（太阳光下测量要经过换算）就能够与在标准测 试条件下测得的电性能相同。 3 测量仪器和装置 3.1 室内测试光源 3.1.1 可以使用下列一种光源作为室内模拟太阳光源。 3.1.1.1AM 1.5太阳模拟器。 3.1.1.2 带介质膜反光镜的卤钨灯。 3.1.1.3 一般卤钨灯加滤红外的水膜。 3.1.2 对光源的要求 3.1.2.1 光源的有效光照面上的光强至少应能达到100mw/cm,用（标准硅太阳电池测量）。 3.1.2.2 用检测电池检查光源的均匀性 检（测电池的面积应不大于被测硅太阳电池面积的四分之一）， 其光强不均匀度不大于士2%。不均匀度的计算公式如下： 不均匀度 ＝士最大光强一最小光强 X100％ （1） 最大光强＋最小光强 3.1.2.3 在测量过程中，光强的不稳定度不大于士1%。计算公式与不均匀度的计算公式相同。 3.2 标准硅太阳电池 应使用地面用二级标准硅太阳电池或地面用工作标准硅太阳电池。 3.3 电流和电压测f仪表 测量硅太阳电池的电性能要使用精度不低于0.5级的仪表。 3.4 取样电阻R, 测量电流的取样电阻R,，精度应不低于0.2%，取样电阻值应保证测量短路电流时，单体硅太阳电 池的端电压不大于20mV. 中华人民共和国电子工业部 1982-11-13批准 1983-07-01实施 SJ2196-82 3.5 负载电阻R,, 硅太阳电池伏安特性曲线测量中的负载电阻凡 ，要求从0-10kn以上连续可调。硅太阳电池组 合板和硅太阳电池方阵的负载电阻应满足功率要求。也可用电子负载。 3.6 补偿电源 当负载电阻R,调到零时，被测单体硅太阳电池的端电压仍大于20mV时，应使用外加补偿电源进 行补偿。原理如图 ｝所示，补偿电源的电压和容量应根据所测硅太阳电池的短路电流及测试回路的压 降来选择。 R . 被 测 函 硅太阳电池 数 记 录 仪 标 准 硅太阳电池 数字 电压表 。） 一般测试线路 被 测 函