半导体三极管和场效应管.pptxVIP

1.3　半导体三极管一、 三极管的结构、符号和分类二、 三极管的电流分配和放大作用三、 三极管的特性曲线四、 三极管的主要参数五、 三极管的选择要点六、 应用电路举例第1页，共35页。CNPPBNNPECCBBEE一、结构、符号和分类特点：三区、三极、二结。collector集电极 C— 集电区集电结— 基区基极 B发射结base— 发射区发射极 EemitterPNP 型NPN 型第2页，共35页。分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、 PNP按使用频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管 500 mW中功率管 0.5 ?1 W大功率管 1 W第3页，共35页。图2.3.2 三极管外形图双极性晶体管的常见外形图如图第4页，共35页。ECECBBuouououiuiuiCBE二、放大条件、电路及电流分配1. 三极管放大的条件发射区掺杂浓度高发射结正偏集电结反偏内部条件外部条件基区薄且掺杂浓度低集电结面积大即：对于NPN管， VC VB VE；对于PNP管， VE VB VC。2. 满足放大条件的三种电路共集电极共基极共发射极第5页，共35页。3. 三极管的电流分配关系IE = IC + IB共射电流放大倍数，表征三极管的电流放大能力，一般为20~200之间.第6页，共35页。三、 三极管的特性曲线一、输入特性输出回路输入回路与二极管特性相似第7页，共35页。O特性右移(因集电结开始吸引电子)特性基本重合(电流分配关系确定)硅管： (0.6 ? 0.8) V取 0.7 V导通电压 UBE(on)锗管： (0.2 ? 0.3) V取 0.3 V第8页，共35页。iC / mA432150 μA40 μA30 μA20 μA10 μAIB = 0uCE /VO 2 4 6 8二、输出特性截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0条件：两个结反偏ICEO截止区第9页，共35页。iC / mA432150 μA40 μA30 μA20 μA10 μAIB = 0uCE /VO 2 4 6 82. 放大区：放大区条件： 发射结正偏 集电结反偏特点： 水平、等间隔ICEO截止区第10页，共35页。iC / mA432150 μA40 μA30 μA20 μA10 μAIB = 0uCE /VO 2 4 6 83. 饱和区：uCE ? u BE饱和区uCB = uCE ? u BE ? 0放大区条件：两个结正偏特点：IC ? ? IBICEO截止区深度饱和时：0.3 V (硅管)临界饱和时： uCE = uBEUCE(SAT)=0.1 V (锗管)第11页，共35页。O三、温度对特性曲线的影响1. 温度升高，输入特性曲线向左移。T2 T1温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。第12页，共35页。iCT2 T1iB = 0iB = 0iB = 0uCE2. 温度升高，输出特性曲线向上移。O温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。输出特性曲线间距增大。第13页，共35页。iC / mA50 μA40 μA30 μA20 μA10 μAIB = 04321uCE /VO 2 4 6 8 是共射直流电流放大系数，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般四、 三极管的主要参数（一）电流放大系数1. 共发射极电流放大系数— 直流电流放大系数Q ? — 交流电流放大系数一般为几十 ? 几百第14页，共35页。iC / mA50 μA40 μA30 μA20 μA10 μAIB = 04321uCE /VO 2 4 6 82. 共基极电流放大系数Q? ? 1 一般在 0.98 以上。 二、极间反向饱和电流CB 极间反向饱和电流 ICBO，CE 极间反向饱和电流 ICEO，又叫穿透电流。第15页，共35页。iCICM安全 工 作 区PCMICEOuCEOU(BR)CEO三、极限参数1. ICM — 集电极最大允许电流，超过时 ? 值明显降低。2. PCM — 集电极最大允许功率损耗PC = iC ? uCE。第16页，共35页。3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 U(BR)CEO U(BR)EBOU(BR)CBO第17页，共