数字集成电路课件第5章 MOS存储器.pptVIP

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2023-02-03 发布于安徽
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数字集成电路课件第5章 MOS存储器.ppt

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§5- 1 存储器的结构 5.1.2 存储器的结构图 5.1.3 存储体 5.1.3 存储体 5.1.3存储体 5.1.4 行地址译码器(1)基本原理 5.1.4 行地址译码器(2)多级译码技术 5.1.4 行地址译码器(3)地址同步控制 5.1.4 行地址译码器(4)优化设计 5.1.5 列地址译码器(1)基本原理 5.1.5 列地址译码器(2)开关树的设计 5.1.6 读写控制及输入输出电路 5-1思考题 §5- 2 Mask ROM(固化ROM) 5.2.1 Mask ROM的特点 5.2.2 伪NMOS或非存储阵列(1)电路结构 5.2.2 伪NMOS或非存储阵列 (2)特性分析 5.2.2 伪NMOS或非存储阵列 (3)版图特点 5.2.2 伪NMOS或非存储阵列 (4)便于编程的版图 5.2.3 预充电结构或非存储阵列 5.2.4 伪NMOS与非存储阵列 5.2.5 预充电-求值结构与非存储阵列(1)电路结构及特点 5.2.5 预充电-求值结构与非存储阵列(2)版图特点 5.2.5预充电-求值结构与非存储阵列(3)便于编程的版图 5.2.6 与或非存储阵列 5.2.7 输出电路(1)必要性 5.2.7 输出电路(2)结构和特点 5.2.8 Mask ROM应用实例 (1) 96字符发生器 5.2.8 Mask ROM应用实例(2)液晶七段数码显示器 5-2 思考题 §5- 3 EPROM 5.3.1 EPROM的特点 5.3.2 FAMOS结构存储单元(1) FAMOS 器件结构 5.3.2 FAMOS结构存储单元(2) FAMOS浮栅充电原理 5.3.2 FAMOS结构存储单元(3) FAMOS存储单元阵列 5.3.3 SIMOS结构存储单元(1) SIMOS器件结构 5.3.3 SIMOS结构存储单元(2) SIMOS浮栅充电原理 5.3.3 SIMOS结构存储单元(3) SIMOS存储单元阵列 5-3 思考题 §5- 4 EEPROM 5.4.1 EEPROM的特点 5.4.2 Flotox结构存储单元(1) Flotox 器件结构 5.4.2 Flotox结构存储单元(2) F-N隧道效应 (Fowler-Nordheim) 5.4.2 Flotox结构存储单元(3)浮栅充电 5.4.2 Flotox结构存储单元(4)浮栅放电 5.4.2 Flotox结构存储单元(5) Flotox 结构的存储单元阵列 5.4.3 MNOS结构存储单元(1) MNOS 器件结构 5.4.3 MNOS结构存储单元(2)直接隧道效应 5.4.3 MNOS结构存储单元(3) MNOS结构的存储单元阵列 5.4.4 闪存FLASH 5.4.5 片内高压产生电路（电荷泵） 5.4.5 片内高压产生电路（电荷泵） 5-4 思考题 §5- 5 SRAM 5.5.1 SRAM的特点 5.5.2 SRAM存储单元电路 5.5.3 SRAM存储单元工作原理 5.5.4 SRAM存储单元器件尺寸 5.5.4 SRAM存储单元器件尺寸 5.5.5 SRAM存储单元版图 5.5.6 SRAM存储单元阵列 5.5.7 SRAM的数据输入/输出电路 5.5.8 SRAM的读出放大电路 5.5.8 SRAM整体结构电路示意图 5.5.9 单端口SRAM的特点 5.5.10 多端口SRAM单元(1)1读1写两端口单元 5.5.10 多端口SRAM单元(2) 2读1写三端口单元 5.5.10 多端口SRAM单元(3) 2读2写四端口单元 5.5.11 多端口SRAM的特点 5-5思考题 §5- 6 DRAM 5.6.1 DRAM的特点 5.6.2 DRAM单管存储单元的结构 5.6.3 DRAM单管存储单元的工作原理(1) 信息的写入 5.6.3 DRAM单管存储单元的工作原理(2)信息的读出 5.6.4 DRAM存储阵列 5.6.5 DRAM读出时的问题 5.6.6 DRAM虚拟单元的设置 5.6.7 DRAM的读出、再生放大器(1)电路结构 5.6.7 DRAM的读出、再生放大器(2)工作原理 5-6 思考题 §5- 7 CAM 5.7.1 CAM的特点及分类 5.7.2 两态CAM单元（Binary CAM，BCAM）(1) 9管基本单元 5.7.2 两态CAM单元（Binary CAM，BCAM）(2) 10管基本单元 5.7.2 两态CAM单元（Binary CAM，BCAM）(3) 两种基本单元特点 5.7.2 两态CAM单元（Binary CAM，BCAM）(4)具有独立搜索线的BCAM单元