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GDSSPT 广东.松山 GDSSPT 广东.松山 模拟电子技术 学习情境场效应管的识别与检测 第一页，共三十一页，2022年，8月28日 7.1 场效应管的识别与检测 本节教学目标 1.掌握场效应管的类型、符号、伏安特性和主要参数。 2.了解场效应管的结构、工作原理、特性曲线。 第二页，共三十一页，2022年，8月28日 7.1 场效应管（单极型晶体管） 场效应管与晶体三极管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 其特点为： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 第三页，共三十一页，2022年，8月28日 7.1 场效应管（单极型晶体管） 场效应管与晶体三极管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管: JFET 绝缘栅型场效应管: MOS 场效应管有两种: 第四页，共三十一页，2022年，8月28日 7.1.1 结型场效应管 一 、结构 N 基底 ：N型半导体 P+ P+ 两边是高浓度P+区 G栅极 S源极 D漏极 导电沟道 图7.1 结型场效应管（N沟道） N沟道JFET的符号 D G S D G S 第五页，共三十一页，2022年，8月28日 7.1.1 结型场效应管 一 、结构 结型场效应管（P沟道） P N+ N+ G栅极 S源极 D漏极 P沟道JFET的符号 D G S D G S 箭头表示栅结（PN结）的方向，从P指向N。 第六页，共三十一页，2022年，8月28日 7.1.1 结型场效应管 二 、工作原理（以N沟道为例） 图7.2 JFET共源接法 N P+ P+ G S D N iD RD VGG VDD 以源极为公共端，共源接法。 GD、GS间均加反向电压，两个PN结均反偏。 |UGS|增大，耗尽层变宽，使导电沟道变窄，沟道电阻增大，电流ID减小。 UDS=0时 第七页，共三十一页，2022年，8月28日 二 、工作原理（以N沟道为例） 图7.2 夹断电压 N P+ P+ G S D iD RD VGG VDD UDS=0时 P+ P+ |UGS|继续增大到一定值时UGS(off) （夹断电压）,两个PN结的耗尽层碰到一起，导电沟道被夹断。这时，即使UDS 0V，漏极电流ID=0A。 第八页，共三十一页，2022年，8月28日 二 、工作原理（以N沟道为例） 图7.2 可变电阻特性和恒流特性 |UGS||UGS(off) |且UDS0时 N G S D iD RD VGG VDD P+ P+ P+ P+ P+ P+ UDS从0V开始增加时，漏极电流iD从0随之增加。沟道表现为非线性电阻特性。当UDS大到一定值（ UDS-UGS=|UGS(off) |）时,两个PN结的耗尽层靠漏极侧碰到一起，导电沟道极窄（予夹断） 。 导电沟道予夹断后，即使UDS 再增加，夹断区向下延伸，电流iD也不再增加，呈恒流特性。 第九页，共三十一页，2022年，8月28日 二 、特性曲线 图7.3 转移特性 1. 转移特性 uGS/V 0 iD/mA IDSS UGS(off) 0 iD/mA uGS/V IDSS UGS(off) N沟道JFET转移特性曲线 P沟道JFET转移特性曲线 夹断电压 饱和漏极电流 第十页，共三十一页，2022年，8月28日 二 、特性曲线 图7.4 漏极特性 1. 漏极特性 uDS/V 0 iD/mA UGS=0V UDS-UGS=-UGS(off) 0 iD/mA uDS/V N沟道JFET漏极特性曲线 P沟道JFET漏极特性曲线 -2.5V -1.5V -1.0V -0.5V -2.0V 夹断区 恒流区 予夹断轨迹 UGS=0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V 夹断区 恒流区 可变电阻区 -UDS+UGS=UGS(off) 可变电阻区 第十一页，共三十一页，2022年，8月28日 漏极特性三个区域的特点: （2）恒流区（饱和区、放大区）： （3）夹断区： （1）可变电阻区： 第十二页，共三十一页，2022年，8月28日 S G D P N+ N+ B 7.1.2 绝缘栅型场效应管 一 、N沟道增强型MOS管 图7.5 N沟道增强型MOS管的结构和符号 2、符号 P型衬底 1、结构 高掺杂N+区 SiO2绝缘层 Al电极 预先没有导电沟道 G S D B 第十三页，共三十一页，2022年，8