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（1）各级电路增益分配 （2）后两级电路设计 RC’：1/3电源电压 RE’：1/3电源电压 输出级静态电流稍大：2~3mA 第三十页，共四十三页。 RC、RE1的确定：既要考虑满足AV1、Ri要求，又要使 T 工作于放大区，并具有一定的输出摆幅 （3）第一级电路设计 Rb1的选择： 当Rw1位于30~50%时使IC=0.6mA 第三十一页，共四十三页。 第一页，共四十三页。 特点：自主选题，自行设计电路，自己确定实验方案、组装实验电路，独立进行调试的探究型实验。 目的：以少量实验项目为纽带，通过全程自主操作，学习电子电路的设计方法、组装技术与调试技术，认识电子元器件，掌握电子仪器的使用，学习并掌握电子电路的计算机辅助设计（EDA软件使用）。 第二页，共四十三页。 实验一 晶体管共射放大电路设计研究 实验二 差分放大器的设计与调试 实验三 多级低频小信号放大器的设计与调试 实验四 负反馈放大路设计与调试 实验五 集成运算放大器基本运算电路研究 实验六 集成运算放大器非线性应用电路研究 实验选题 2人1套设备，每人从以上项目中选择一个。 第三页，共四十三页。 电子电路设计方法 第四页，共四十三页。 电子电路设计的一般流程 第五页，共四十三页。 1、数学方法：根据理论课知识笔算 2、CAA：计算机辅助分析（OrCAD、Multisim等） 3、物理实验： 第六页，共四十三页。 1、电路分析计算 一、共射放大电路分析与设计 第七页，共四十三页。 直流分析 第八页，共四十三页。 小信号参数计算 第九页，共四十三页。 交流分析 RE1使增益下降，输入电阻增加，增益稳定性提高。 第十页，共四十三页。 2、静态工作点与失真 静态工作点选得过高或过低都易产生非线性失真。 过高：如Q1，稍大的输入信号正半周将使晶体管进入饱和区，因而ic波形将出现顶部压缩、输出电压vce波形将在底部压缩，这称为饱和失真。 太低：如Q2 ，稍大的输入信号负半周将使晶体管进入截止区，因而ic波形将出现底部压缩、输出电压vce波形将在顶部压缩，这称为截止失真。 第十一页，共四十三页。 3、电路设计步骤 （1）确定电路结构、偏置方案 （2）确定偏置元件参数 （3）确定影响交流参数的元件值 （4）电容值确定 第十二页，共四十三页。 （1）小信号放大或前置放大器设计时需要考虑晶体管噪声系数。 通常，高频小信号晶体管工作电流为0.5mA~2mA时噪声最 小，一般取1mA以下。 4、 电路设计的一些原则和经验公式 （2）由静态电流IE式可以看出，要使静态工作点较稳定，应取 VBBVBE。对硅晶体管，一般取VBB为3V~5V。 （3）要保证VB足够稳定，应使IR1 IB ，常取IR1为（5~10）IB。 （4）为获得较大的输出信号摆幅和电压增益，基极静态电压不能 太高，工程设计中一般取VB或VBB为（1/3~1/4） VCC。 第十三页，共四十三页。 因此，RE1、RC的确定需要根据电压增益AV的大小及稳定性、输入电阻要求、输出信号摆幅等进行综合考虑。 （5）由于射极电阻RE1的负反馈作用，增大RE1能提高电路的输入电阻、提高电压增益的稳定性，但将使电压增益值下降。 另一方面，当电压增益给定时，增大RE1就需要提高RC，而这将降低晶体管的集电极静态电压VC、影响输出信号摆幅。 第十四页，共四十三页。 取VB =1/4VCC =3V，得 设计一阻容耦合单级放大电路 已知条件：VCC= +12V，RL=3kΩ，Vi=10mV，RS=600 Ω 性能指标要求： 15V/V，Ri 3kΩ ， fL50Hz 5、设计举例 （1）电路结构及晶体管选择 选用9013，β按100计算。 （2）静态工作点设置：RE、R1、R2 被测信号幅度较小，考虑噪声系数、取IC=1mA。 第十五页，共四十三页。 当IR1 IB 时，VBB≈VB=3V，由VBB式可得 因此, R1、R2取太小会使（Ri 5 kΩ ）难以满足，取太大会使工作点稳定要求（IR1IB）难以满足。 因此，R1、R2的具体取值有两个考虑思路。 第十六页，共四十三页。 从Ri计算式看，一般取R2为Ri下限值的3倍即可满足输入电阻要求，取R2=15 kΩ，则R1=45 kΩ 按IR1IB，取IR1=10IB=0.1mA，则 ，因此R2=30kΩ 综合考虑，R2可取标称值20kΩ，R1可取为60kΩ。 为使工作点容易调整，R1可由36 kΩ固定电阻和50 kΩ电位器串联构成。 第十七页，共四十三页