光源和光发射器.pptVIP

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边发光型Edge-emmitting LED 第六十二页,共一百零二页,2022年,8月28日 面发光型LED输出功率大,但是光发散角很大,水平和垂直发散角都可达到120o,与光纤耦合效率低。 边发光型LED的驱动电流较大,输出光功率小,但光束发射角小,与光纤的耦合效率高,故入纤光功率比面发光型LED高。 第六十三页,共一百零二页,2022年,8月28日 Light-Emitting Diode Operating Characteristics 发光二极管的工作特性 ? 光谱特性 PI特性 调制特性 第六十四页,共一百零二页,2022年,8月28日 LED的光谱特性 发光二极管发射的是自发辐射光,没有光学谐振腔对波长的选择,谱线宽。 λ 1 波长(um) 相 对 功 率 λ1 λ2 1.20 1.35 0.5 第六十五页,共一百零二页,2022年,8月28日 LED的输出光功率特性 P-I特性呈线性 电流(mA) 光功率(mW) 第六十六页,共一百零二页,2022年,8月28日 LED的输出光功率特性 驱动电流较小时,P-I特性呈线性,I过大时,由于PN结发热产生饱和现象,使P-I特性曲线斜率减小。 100 边发光二极管 P (mW) I (mA) LD 面发光二极管 200 1 2 3 第六十七页,共一百零二页,2022年,8月28日 T0是器件的特征温度。 当温度升高时,同一电流下的发射功率要降低,但与LD比较起来,发光二极管的温度稳定性相对较好,在实际应用中,一般可以不加温度控制。 LED的温度特性 第六十八页,共一百零二页,2022年,8月28日 LED的调制特性 数字调制 模拟调制 第六十九页,共一百零二页,2022年,8月28日 光源的上升时间tr 当输入阶跃变化的电流时,其输出光功率从最终值的10%上升为90%的时间。 输出光功率波形 输入电流波形 LED上升时间从几纳秒一直到250ns,比LD大得多,调制速度比LD慢。 第七十页,共一百零二页,2022年,8月28日 LED与光纤的耦合 耦合效率:入纤的光功率与发光管发出的功率之比,影响耦合效率的主要因素是光源的发散角和光纤的数值孔径。发散角大,耦合效率低;数值孔径大,耦合效率高。 面发光器件的光功率按cosθ递减。 面发光器件辐射出来的大部分能量都被浪费 光束角度 光束强度 面发光器件的朗伯辐射图 第七十一页,共一百零二页,2022年,8月28日 LED与光纤的耦合 输出光束在与PN结平行的面上呈朗伯分布,在与PN结垂直的平面内的光强发散缓慢得多。 边发光器件比面发光器件更能集中光束能量,提供更高的耦合效率。 光束角度 光束强度 边发光器件的辐射图 平行平面 垂直平面 第七十二页,共一百零二页,2022年,8月28日 2.光谱特性 λp为具有最大辐射功率的纵模峰值所对应的波长,称为峰值波长。 Δλ为LD的谱宽,其定义为纵模包络下降到最大值一半时对应的波长宽度,也称半高全宽光谱宽度。 ΔλL是一个纵模中光谱辐射功率为其最大值一半的谱线两点间的波长间隔。 波长 λ0 相对功率 Δλ 第三十页,共一百零二页,2022年,8月28日 LED和LD的光谱特性 第三十一页,共一百零二页,2022年,8月28日 I=67mA P=1.2mW I=75mA P=2.5mW I=100mA P=10mW I=95mA P=6mW I=80mA P=4mW 随着电流增加,主模的增益增加,而边模的增益减小,纵模数减少,一个模式开始占优势,直到出现单个窄线宽的光谱为止。 3、纵模数随注入电流而变: 第三十二页,共一百零二页,2022年,8月28日 三、半导体激光器的瞬态性质 半导体激光器具有电光转换效率高、响应速度快、可以进行直接调制的优点,被视为光纤通信中的理想光源。但在对半导体激光器进行脉冲调制时,激光器往往呈现出复杂的动态性质——光电瞬态响应。 电光延迟 张弛振荡 自脉动 第三十三页,共一百零二页,2022年,8月28日 1. 电光延迟 原因:激光输出与注入电脉冲之间存在一个时间延迟,一般为纳秒量级。 降低方法:预偏置在Ith附近。 电光延迟 0 注入电流 光输出 td t 张弛振荡 持续振荡 直流预偏置电流 第三十四页,共一百零二页,2022年,8月28日 张弛振荡:当电流脉冲注入激光器以后,输出光脉冲表现出衰减式振荡。是激光器内部光电相互作用所表现出来的固有特性。 自脉动:某些激光器在某些注入电流下发生的一种持续振荡。 张弛振荡和自脉动的结合。激光器激射以后,先出现一个张弛振荡的过程,随后则开始持续自脉动。 光电瞬态响应波形 第三十五页,共一百零二页,2022年,8月28

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