电容器规格详细介绍.docx

电容器规格详细介绍 电容器种类: 依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别. 电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (11mm 高度), 迷你型 (7mm 高度), 超迷你型 (5mm 高度), 耐高温型 (105℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm 高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片 (105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型 等. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 0805, 1206 等较具普遍性. 电容器主要电气规格: 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type 的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type 的电容量范围为0.01uF-0.33uF. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-20%, 塑料薄膜电容器为J 即 +/-5%或 K 即 +/-10%, 或M 即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type 为C 即 +/-0.25pF (10pF 以下时), 或D 即 +/-0.5pF (10pF 以下时), 或J 或K 四种. Hi-K type 及S/C type 为K 或M 或Z 即 +80/-20%三种. 损失角即D 值: 一般电解电容器因为内阻较大故D 值较高, 其规格视电容值高低决定, 为 0.1-0.24 以下. 塑料薄膜电容器则D 值较低, 视其材质决定为0.001-0.01 以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type 为 0.025 以下. T/C type 其规格以Q 值表示需高于400-1000. (Q 值相当于D 值的倒数) ) 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type 其常用代号为CH 或NPO 即为 +/-60ppm, UJ 即为 -750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及 S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5V)即为 +30/-80%. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min 后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF 电容量值与额定电压相乘积) 或 3uA 以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用(Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV 或 0.4uA 以下. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3 倍电压加压, 需工作正常无异状. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为-25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type 为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type 为 -25℃至+85℃. 如何选用规格适当之电容器: 所有被动组件中, 电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异: 使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃ 使用高度限制: 传统A/I 标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm