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扩撒炉电气系统设计与维护 摘要：随着国内太阳能产业的不断发展壮大，国内太阳能设备的生产也变得越来越成熟。整个电池片生产环节中扩散环节是形成P–N结的过程，是整个电池片生产过程的核心环节。对扩散过程的严格要求无疑是对扩散设备性能的严格要求。扩散工艺过程中温度控制系统能否按照工艺过程良好的控温直接关系到扩散整个反应过程的质量好坏。因此扩散设备的温度控制系统的优劣是衡量扩散设备性能的关键。而衡量扩散设备优劣的关键则是其温度控制的性能。针对传统的扩散炉控制系统的温度控制精度、生产工艺控制能力等较低的现状,提出了一种以PLC为核心的扩散炉智能控制系统。该系统将模糊控制算法引入传统的扩散炉控制系统,利用模糊控制规则自适应地在线对量化因子进行修改。应用结果表明:该系统有效地实现了对多工位扩散炉温度工艺曲线和辅助工艺的自动控制,提高了温度控制精度以及工作效率。 关键词：扩散炉；系统设计；维护 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u 1 引言 3 2 研究现状 4 3 扩散炉发展简史 4 4 炉温度控制系统 8 4.1 温度串级控制单元 8 4.2 控温原理 10 4.3硬件电路和软件的实现 11 4.3.1双向可控硅 11 4.3.2 可控硅过零触发电路 12 4.4 PID控温 14 参考文献 17 1 引言 随着石油，煤炭等不可再生能源的大量使用，这些一次能源在不久的几十年至百年后会在地球上消失。能源是人类社会之所以能够飞速发展的原因，随着石油，煤炭等一次能源的日益枯竭，能源危机也不断的向人类敲响了警钟。人类急需一种替代能源，而且这种能源能够取之不竭，用之不尽。太阳能无疑成为了首选，它有着别的能源很多所不具有的优势，所以近几十年来太阳能电池从实验室到工厂的大规模流水线生产，都说明太阳能是未来人类所赖以生存和发展的新能源！ 随着国内太阳能产业的不断发展壮大，国内太阳能设备的生产也变得越来越成熟。整个电池片生产环节中扩散环节是形成P–N结的过程，是整个电池片生产过程的核心环节。对扩散过程的严格要求无疑是对扩散设备性能的严格要求。扩散工艺过程中温度控制系统能否按照工艺过程良好的控温直接关系到扩散整个反应过程的质量好坏。因此扩散设备的温度控制系统的优劣是衡量扩散设备性能的关键。而衡量扩散设备优劣的关键则是其温度控制的性能。 2 研究现状 进入21世纪，电子信息产业的持续高速发展激励和带动了集成电路产业的发展，这就为微电子产业发展提供了空前广阔的发展空间，也为半导体专用设备提供了巨大的市场潜力。 从微电子行业发展看，半导体器件设计向高密度、高集成度的方向迅速发展，对半导体集成电路新工艺、新技术、新设备提出了越来越高的要求。当前硅片的尺寸由直径150mm发展到300mm，超大规模集成电路（ULSI）的特征尺寸已从0.5μm、0.35μm发展到0.25μm，集成密度高达1千万个元件，而且预计到2010年ULSI特征线宽要达到0.07μm，其芯片集成度达10亿个元件 在所有半导体专用设备中，扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氢氧合成）两种，扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备，它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。 3 扩散炉发展简史 扩散炉技术发展大体可以分为四个阶段： 第一阶段：1965年以前，这是扩散炉出现阶段，扩散炉随着半导体工艺的产生而出现，这一阶段的国产扩散炉水平与国外水平差距不大。 第二阶段：1965~1976年，这是扩散炉功能被逐步完善的阶段。这个阶段是器件半导体进入集成电路时代，因而对工艺设备的功能提出了许多新的要求。为适应工艺要求，在此阶段逐渐配备了工艺气路系统，送片系统以及净化台等，炉管口径逐渐加大，可处理3英寸硅片 第三阶段：1976~1987年，这是扩散炉在技术上的成熟阶段。这期间半导体工艺进入VLSI时代，在1983年6英寸生产线已经建立。1987年微细加工的特征尺寸已达到1μm，设备的更新周期大大缩短，为满足工业生产技术发展的要求，扩散炉技术性能持续改善提高，主要表现形式是硅片尺寸增大，颗粒污染控制更严格，工艺参数控制更加精确，已经实现温度曲线和工艺时序的全自动控制，设备可靠性有很大提高，卧式扩散炉技术趋于成熟。 第四阶段：1987年至今，微细加工线