光电子技术王俊波光电二极管.pptVIP

* 4.7 光电二极管 第一页，共三十七页。 第二页，共三十七页。 外形 光变化－电流变化 光电转换器 光敏特性 （a） （b） 光电二极管的符号与光电特性的测量电路 （a）符号 （b）光电特性的测量电路 硅光电二极管 第三页，共三十七页。 光电二极管的伏安特性 有光 光电接收二极管 反偏状态 光电流（恒流） 光电流与照度线性关系 无光 暗电流 第四页，共三十七页。 国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。 2CU系列以N-Si为衬底， 2DU系列以P-Si为衬底 2CU系列光电二极管只有两个引出线， 而2DU系列光电二极管有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极。 硅光电二极管结构示意图 2DU管加环极的目的是为了减少暗电 流和噪声。 第五页，共三十七页。 光电二极管的受光面一般都涂有SiO2防反射膜，而SiO2中又常含有少量的钠、钾、氢等正离子。 SiO2是电介质，这些正离子在SiO2中是不能移动的，但是它们的静电感应却可以使P-Si表面产生一个感应电子层。 这个电子层与N-Si的导电类型相同，可以使P-Si表面与N－Si连通起来。 当管子加反偏压时，从前极流出的暗电子流，除了有PN结的反向漏电子流外，还有通过表面感应电子层产生的漏电子流，从而使从前极流出的暗电子流增大。 第六页，共三十七页。 为了减小暗电流，设置一个N+-Si的环把受光面（N-Si）包围起来，并从N+-Si环上引出一条引线（环极），使它接到比前极电位更高的电位上，为表面漏电子流提供一条不经过负载即可达到电源的通路。 这样，即可达到减小流过负载的暗电流、减小噪声的目的。 如果使用时环极悬空，除了暗电流、噪声大些外，其它性能均不受影响。 2CU管子，因为是以N-Si为衬底，虽然受光面的SiO2防反射膜中也含有少量的正离子，而它的静电感应不会使N-Si表面产生一个和P-Si导电类型相同的导电层，从而也就不可能出现表面漏电流，所以不需要加环极。 第七页，共三十七页。 光电二极管的用法： 光电二极管的用法只能有两种。 一种是不加外电压，直接与负载相接。 另一种是加反向电压，如图所示。 a) 不加外电源? b) 加反向外电源? c) 2DU环极接法 实际上，不是不能加正向电压，只是正接以后就与普通二极管一样，只有单向导电性，而表现不出它的光电效应。 第八页，共三十七页。 加反向电压时，伏安特性曲线常画成如下图所示的形式。 与硅光电池的伏安特性曲线图比较，有两点不同。 一是把硅光电池的伏安特性曲线图中Ⅰ、Ⅱ象限里的图线对于纵轴反转了一下，变为上图(a)。这里是以横轴的正向代表负电压，这样处理对于以后的电路设计很方便。 二是因为开路电压UOC一般都比外加的反向电压小很多，二者比较可略而不计，所以实用曲线常画为上图(b)的形式。 第九页，共三十七页。 微变等效电路与频率特性： 光电二极管的等效电路可表达如下： 其中图a为实际电路； 图b为考虑到光电二极管结构、功能后画出的微变等效电路，其中Ip为光电流，V为理想二极管，Cf为结电容，Rsh为漏电阻，Rs为体电阻，RL为负载电阻； 图c是从图b简化来的，因为正常运用时，光电二极管要加反向电压，Rsh很大，Rs很小，所以图b中的V、Rsh、Rs都可以不计，因而有图c的形式； 第十页，共三十七页。 图d又是从图c简化来的，因为Cf很小，除了高频情况要考虑它的分流作用外，在低频情况下，它的阻抗很大，可不计。 因此具体应用时多用图d和图c两种形式。 流过负载的交变电流复振幅为 ： IL＝Ip·1/(1+jωτ) 第十一页，共三十七页。 ω：入射光的调制圆频率，ω＝2πf，f为入射光的调制频率。 τ = CfRL IL的模量为 可见，IL是频率的函数，随着入射光调制频率的增加而减小。当ω=1/τ时， 这时f = 1/2πτ 称为上限截止频率，或称为带宽。 第十二页，共三十七页。 几种国产2CU型硅光电二极管的特性 第十三页，共三十七页。 几种国产2DU型硅光电二极管的特性 第十四页，共三十七页。 2.7.2 PIN管 PIN管是光电二极管中的一种。是在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。 这样，PN结的内电场就基本上全集中于I层中，从而使PN结双电层的间距加宽，结电容变小。 由式τ = CfRL与f = 1/