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本申请案涉及用于检测TSV的寄生电容的测试电路。本文中公开一种包含第一半导体芯片及穿透所述第一半导体芯片的第一TSV的设备。所述第一半导体芯片包含耦合在第一电源与第一节点之间的第一电阻器、耦合在所述第一节点与所述第一TSV之间的开关电路、可操作地耦合到所述第一节点的衬垫电极及可操作地耦合到所述第一节点及所述衬垫电极中的任一者的恒定电流源。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114076851 A
(43)申请公布日 2022.02.22
(21)申请号 202110947268.6
(22)申请日 2021.08.18
(30)优先权数据
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