功率快恢复二极管要点.pptxVIP

功率快恢复二极管要点第1页/共37页 前言◆ 用途：续流；整流 ◆市场份额：大于IGBT世界：～25亿美金 中国：～70亿元人民币● 我国生产现状：占主流的高端产品几乎全部进口● 我国研究现状： ◆研发几百至几十ns超快恢复二极管者鲜见 ◆北京工业大学一直致力于超快恢复FRD和IGBT研发●功率快恢复二极管的地位MOS栅类双 极 类晶闸管4.1%功率IC45%BJT6.9%二极管13.1%IGBT5.6%功率MOS25%第2页/共37页 梗 概一. 绪论: 快恢复二极管的用途与对它的性能要求二. 快恢复二极管结构发展之一：PiN二极管结构发展三. 快恢复二极管结构发展之二：PiN /肖特基结合二 极管结构发展四. 过剩载流子寿命控制技术的发展五. 制造功率快恢复二极管的半导体材料的发展六. 我国快恢复二极管产业技术现状七. 结束语第3页/共37页 一. 绪论 快恢复二极管的用途与对它的性能要求第4页/共37页 ● 主要是续流二极管(FWD) 电机调速逆变电路主要应用例二 ：开关电源降压电路主要应用例一 ： 电机绕组(电感)+_+_DRCLV1MOS管开关控制器V2续流1. 快恢复二极管主要用途 ● 其次是整流二极管工作模式：开关第5页/共37页 2. 快恢复二极管的开关波形与参数 开通时 正向恢复过程 关断时 反向恢复过程ttfrtr0.1IFM0.9IFMIFMVF1.1VF0.25 I rM VSI rrMtrrtbta软度S= tb/ ta快而软恢复慢而硬恢复电流电压VFM决定S决定IrrM+--+-P N N+P N N+P N N+P N N++-+第6页/共37页 快恢复二极管的功耗电流电压t功耗t开通损耗关断损耗=开关损耗通态损耗截止损耗+=静态损耗+◆ 高频工作时开关损耗为主 快恢复二极管◆ 低频工作时静态损耗为主 一般恢复二极管第7页/共37页 3. 对快恢复二极管主要性能要求主要目的：降低功耗; 保护主开关IGBT; 提高可靠性等功率快恢复二极管发展史主要是以上性能的改进史！ 反向恢复特性软 S ↑ 正向压降正温度系数 dVF/dT＞0 正向恢复电荷少 tfr↓, VFM开关参数提高电力电子设备可靠性正向压降低 VF ↓反向漏电小 IR ↓直流参数 静态损耗 反向恢复电荷少 Qrr ↓反向恢复时间短 trr ↓反向恢复电流峰值小 IrrM↓ 开关损耗保护IGBT减小EMI第8页/共37页 1, 常规PiN二极管（ PiN 1950’s) 2, 低损耗二极管 （LLD 1976) 3, 静电屏蔽二极管（SSD 1984) 4, 场中止低损耗二极管 （FS-LLD 2007) 5, 背注入空穴二极管 （CIBH 2006) 6, 场抽出电荷二极管(FCE 2005) 7, 浮带区熔二极管（FZ-Diode 2008 ） 8，超级结二极管 （SJ-diode)快恢复二极管结构发展之一:PiN二极管结构发展第9页/共37页 各种 PiN 二极管结构一览SSDPPP+N+N -阳极阴极SPEEDPiNP+N+N -阳极阴极P+LLD阳极PN+N -阴极 ( FS-LLD )PN+N -N 阳极阴极PP+N-P+N+NN+阳极阴极FCECIBHPN+N -阳极阴极PPP第10页/共37页 1, 常 规 PiN 二 极 管P+N-N+阳极阴极 以后 PiN二极管的发展史主要就是提高其折衷性能的历史 特点: 耐压高,可以按需要随心设计 几十V → 6500V开关时间长 缺点: 有少数载流子存储效应, 所以:正向压降大反向恢复硬 用常规寿命控制法提高速度时 三者相互矛盾，难以得到良好折衷第11页/共37页 2，低损耗二极管（LLD)PN -结构特点：低发射区掺杂浓度● 开关时间短● 反向恢复电流峰值低● 正向压降小