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- 2023-05-17 发布于四川
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提供一种驱动装置、驱动方法及电力转换装置，对SiC‑MOSFET的劣化进行抑制。该驱动装置隔着用于使串联连接的第一SiC‑MOSFET和第二SiC‑MOSFET关断的死区时间，使所述第一SiC‑MOSFET和所述第二SiC‑MOSFET交替地开关，所述驱动装置包括：第一驱动电路，在所述死区时间，将所述第一SiC‑MOSFET的栅极电压设定为高于第一负电源电压且低于所述第一SiC‑MOSFET的第一阈值电压的第一中间电压；以及第二驱动电路，在所述死区时间，将所述第二SiC‑MOSFET的栅极电压设
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116015029 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202211177331.3
(22)申请日 2022.09.26
(30)优先权数据
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