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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明公开一种二维层状碲掺杂锗烷及制备方法，将Ca、GeTe、Ge按化学计量比封装在在管式炉中进行程序控温得到CaGe2‑2xTe2x(x＝0.01‑0.05)前驱体,将得到的前驱体与盐酸在低温下进行反应，即可得到二维层状的半导体材料碲掺杂锗烷HGe1‑xTex(x＝0.01‑0.05)。这种二维材料在光电器件、储能、光催化等方面具有较大的潜在应用。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112429703 A
(43)申请公布日
2021.03.02
(21)申请号 20191
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