铁电半导体器件和用于制造存储器单元的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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铁电半导体器件和用于制造存储器单元的方法.pdf

本发明涉及一种铁电半导体器件,包括:存储器单元,该存储器单元具有铁电存储器层和设置在该铁电存储器层上的第一导电层;以及半导体器件,连接到存储器单元。存储器单元的铁电存储器层可以包括具有III族氮化物和非III族元素的混合晶体。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112753070 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201980062904.8 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任

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