1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件及其制造方法.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约3.14万字
  • 约 47页
  • 2023-06-05 发布于四川
  • 举报

半导体器件及其制造方法.pdf

    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法包括在第一电介质层中形成开口。位于第一电介质层下方的区域暴露于开口。方法还包括沉积延伸到开口中的虚设硅层，以及沉积隔离层。隔离层和虚设层在开口中分别包括虚设硅环和隔离环。利用金属区域填充开口，并且金属区域被隔离环环绕。蚀刻虚设硅层以形成空气间隔件。形成第二电介质层以密封空气间隔件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750762 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011193393.4 (22)申请日 2020.10.30 (30)优先权数据

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >