(必考题)初中高中物理选修二《安培力与洛伦兹力》测试题(答案解析).docx

一、选择题 如图平面直角坐标系的第Ⅰ象限内有一匀强磁场垂直于纸面对里，磁感应强度为B。一质量为 m、电荷量为 q 的粒子以速度 v 从 O 点沿着与 y 轴夹角为30 的方向进入磁场，运动到 A 点时速度方向与 x 轴的正方向一样，不计粒子的重力，则以下推断错误的选项是 〔 〕 该粒子带负电  t ? ? m mv B．A 点与 x 轴的距离为 2qB C．粒子由 O 到 A 经受时间 3qB D．运动过程中粒子的速度不变 以下关于磁场的应用，正确的选项是〔 〕 图甲是用来加速带电粒子的盘旋示意图，要使粒子获得的最大动能增大，可增大加速电场的电压U 图乙是磁流体发电机示意图，由此可推断A 极板是发电机的正极， B 极板是发电机的负极 C．图丙是速度选择器示意图，不考虑重力的带电粒子能够沿直线匀速通过速度选择器的条 件是v ? E B D．图丁是磁电式电流表内部构造示意图，当有电流流过时，线圈在磁极间产生的匀强磁场中偏转 如下图，半径为 R 的圆形区域内有一垂直纸面对里的匀强磁场，P 为磁场边界上的一点。大量质量为 m、电荷量为 q 的带正电粒子，在纸面内沿各个方向以一样速率v 从 P 点射入磁场。这些粒子射出磁场时的位置均位于PQ 圆弧上，PQ 圆弧对应的圆心角恰好为106°。〔sin53°=0.8，cos53°=0.6〕不计粒子重力和粒子间的相互作用，则该匀强磁场的磁 感应强度大小为〔 〕 mv 5mv 5mv 3mv qR B． 4qR C． 3qR D． 5qR 如下图，水平线上方有方向垂直纸面对里、范围足够大的匀强磁场区域。一带负电粒子 P 从 a 点沿 θ=30°方向以初速度 v 垂直磁场方向射入磁场中，经时间 t 从 b 点射出磁场。不计粒子重力，以下说法正确的选项是〔 〕 ab 之间的距离为粒子做圆周运动的半径的2 倍 假设粒子初速度为 2v，射出磁场时与水平线夹角为 60° 假设粒子初速度为 3v，粒子经时间 3t 射出磁场D．假设磁场方向垂直纸面对外，粒子经时间5t 射出磁场 CT 扫描是计算机X 射线断层扫描技术的简称，CT 扫描机可用于对多种病情的探测。图a 是某种 CT 机主要局部的剖面图，其中X 射线产生局部的示意图如图b 所示。图b 中 M、N 之间有一电子束的加速电场，虚线框内有匀强偏转磁场；经调整后电子束从静止开头沿带箭头的实线所示的方向前进，打到靶上，产生X 射线〔如图中带箭头的虚线所示〕；将电子束打到靶上的点记为 P 点。则〔 〕 电子在 N 处的电势能比 M 处大 仅增大 M、N 之间的加速电压，电子在偏转磁场中的运动时间变短C．偏转磁场的方向垂直于纸面对外 D．仅增大偏转磁场磁感应强度的大小可使P 点右移 如下图，匀强磁场磁感应强度为 B，方向垂直纸向里，一长为 2l 的直导线折成边长相等，夹角为 60°的 V 形，垂直置于匀强磁场中。当在该导线中通以电流强度为I 的电流时， 该 V 形通电导线受到的安培力为〔 〕 方向向下C．大小为 BIL 方向向右 D．大小为 3BIL 如下图，在一矩形半导体薄片的 P、Q 间通入电流 I，同时外加方向垂直于薄片向上 H H的匀强磁场 B，在 M、N 间消灭电压U ，这个现象称为霍尔效应，U H H 满足：UH IB ? K d  ，式中 k 为霍尔系数，d 为薄片的厚度，该半导体材料的导电物质 M N为自由电子，薄片的长、宽分别为 a、b，关于 M、N 两点电势? 、? 和薄片中电子的定向移动速率 v，以下选项正确的选项是〔 〕 M N A．? ? ， v ? kI A M N bd ? ? v ? kI M N ， ad C．? ? ， v ? kI C M N bd D．? ? ， v ? kI D M N ad 盘旋由两个铜质D 形盒构成，其间留有空隙，原理如下图．以下说法正确的选项是〔 〕 带电粒子在D 形盒内时，被磁场不断地加速 B．交变电场的周期等于带电粒子做圆周运动的周期C．加速电压越大，带电粒子获得的最大动能越大D．可以对带电粒子进展无限加速 1长为 L 的导体棒 a 通如下图电流，与传感器相连悬挂在天花板上，长直导体棒b 固定在 a 的正下方，且与 a 平行，当 b 不通电时，传感器显示拉力为 F ，当 b 通电时，传感器 1 F显示拉力为 ，则以下说法正确的选项是〔 〕 F 2 假设 F F ，则 I F 、 I 的方向一样，b 在 a 处的磁感应强度 B ? 2 1 2 a b I