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本发明公开了一种半导体存储装置，其特征在于包含一衬底，定义有一存储区以及一相邻的外围区，多条位线设置在该衬底上，并且沿着一第一方向排列，其中各该位线包含有一导电部分，且该位线包含有四个侧壁，一间隙壁环绕该位线的四个侧壁，其中该间隙壁包含有两个短间隙壁覆盖于该导电部分的两个末端，以及两个长间隙壁覆盖于该导电部分的两个长侧边，以及多个接触隔绝块，位于任两相邻的位线之间，其中至少有一部分的接触隔绝块覆盖于该间隙壁的正上方。本发明的结构可以提高电性隔离效果，优选避免漏电流的产生，提高组件质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113471202 A
(43)申请公布日 2021.10.01
(21)申请号 202110761611.8
(22)申请日 2021.07.06
(71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司
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