半导体行业穿越存储60年：AI时代，新周期-长城证券.pptxVIP

;穿越存储60年：AI 时代，新周期;;图：近代电脑存储器演变—从穿孔卡到DDR，存储介质经历了从“纸→磁→光→半导体”不断创新发展;图：常见存储单位：从KB起，计算机存储单位之间的进率是1024;图：存储的进化史—伴随存储技术的发展，存储器尺寸不断减小至芯片量级，平均存储容量逐渐提升至可达TB量级;图：存储行业遵循摩尔定律，集成度每18个月提升1倍，性能提升1倍，单位价格下降一半;图：存储的金字塔：速度越快，存储容量越小，数据保留时间越短;图：2022年存储市场规模：DRAM、NAND占比分别达49%和37%;图：三大主流存储介质的原理、特点及应用：各有千秋;;机械硬盘雄风犹在，企业级应用成未来主战场;图：电磁铁产生的磁场可改变金属粒的磁性，记录存储0和1的信息;;图：希捷ST 506——5.25英寸硬盘，是首款面向个人用户的硬盘;图：1997年，GMR巨磁阻效应磁头技术诞生，IGM研制出信号变化灵敏度更高的读出磁头，自此硬盘的存储密度实现巨大提升;图：2009年机械硬盘市场格局，形成“春秋五霸”时代;图：Deskstar 7K1000产品标签：支持NCQ技术的SATA 3Gb/s接口;图：2011年HDD出货量(万)锐减;图：价格对比(USD/TB)：随着SSD价格下降，两者差距不断缩小;图：HDD出货量从2011年开始逐渐下降(单位: 亿);;图：1986-2022年机械硬盘出货量先升后降(单位: 亿);图：1979-2023年机械硬盘每GB价格呈快速下降趋势(按美元/GB计);;;图：近年来DRAM市场规模先升后降;;图：DRAM工作原理：通过给存储电容内充放电，形成1和0的信息;图：IBM罗伯特 · 登纳德博士，最早研发成功1T/1C结构的DRAM;图：1970年Intel成功量产DRAM C1103，奠定了DRAM商业化基础;图：1980年代，举国体制下，日本DRAM崛起，奠定霸主地位;图：日立1986年~1988年股价年涨跌幅(%)均呈正增长;1990年代：韩国重视研发，抓住契机切入半导体产业;图：三星1990年~1999年股价年涨跌幅(%)，1993年涨幅最大;图：1990-1999年存储平均价格(USD/Mbyte): 前半场先抑后扬，后因全球各8英寸厂扩产导致产能供给过剩，DRAM价格加速下跌;图：1975-2000年DRAM市场份额变化情况：国际差距逐渐缩小;图：20年代存储平均价格走势(USD/Mbyte)：伴随着下游需求增长和供过于求，DRAM价格潮起潮落，整体呈下降趋势;图：1999-2012年SK海力士和镁光：与DRAM市场呈相同趋势变化;图：2013年~2017年存储平均价格在下跌后有所回升(USD/Mbyte);图：2022年全球DRAM市场规模下降至791亿美元，同比-17%;图：2019年因前期产能扩张和去库存因素致价格下跌，毛利率下降;图：2020-2022年季度DRAM各龙头市场份额：三足鼎立格局延续;图：合肥长鑫12寸晶圆厂项目：预计三期全部投产后将达36万片/月;图：2022年DRAM市场规模位列数字存储市场规模第一;图：1975-2000年DRAM市场份额变化情况：国际差距逐渐缩小;历史总结3：DRAM发展符合摩尔定律，每18个月集成度提升1倍;图：1974年~2022年DRAM每GB价格变化幅度，近年来降幅有收窄;历史总结5：以史为鉴，以“新型举国体制”打破产业困局;;;图：经过快速成长期和技术爆发期，FLASH正在从2D向3D发展;图：NAND写入数据时采用隧穿效应，NOR写入数据时采用热电子注入方式;;图：自1986年起至2006年，Intel是开发多代NOR Flash产品的先驱;图：1990-1999年FLASH市场规模迅速增长，到1999年，市场规模上升至45.61亿美元;图：1999年Flash市场格局——其他厂商不断进入，Intel占比仅26%;图：2000年~2010年Flash市场规模呈上升趋势，偶有回落(亿美元);图：Flash价格呈下降趋势，DRAM价格呈上升趋势(USB/unit);图：NAND Flash单位出货价格不断上升(USD/unit);;图：2019年NAND FLASH市场由三星、铠侠、西部数据、镁光、海力士、Intel主导，CR6高达99.4%;图：长江存储Xtracking：相比传统3D NAND, 芯片面积可减少25%;图：2020-2022年NAND Flash市场仍由海外龙头垄断，CR6约95%;图：2021年Nor Flash市场格局——CR3高达90.7%;图：2019年NAND行业CR4达80.2%;图：Nor Flash市场格局变化：三星、镁光等大厂逐渐退出;图：2001年~2022年Flash每GB 价格下降幅度(%)周