SJ_T 2214-2015半导体光电二极管和光电晶体管测试方法.pdf

ICS 31. 080L54备案号：50541-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2214--2015代替 SJ/T 2214.1~SJ/T 2214.10—1982半导体光电二极管和光电晶体管测试方法Measuring methods for semiconductor photodiode and phototransistor2015-1001实施2015 - 04 30 发布S发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 2214-—2015目次II前言 范围.12　规范性引用文件3术语和定义3.1　半导体光电二极管3.2半导体光电晶体管3.3半导体光电二极管和光电晶体管4　一般要求.·4.1　总则4.2测试仪器/仪表4.3　电源4.4测试环境条件5详细要求5.1半导体光电二极管正向电压5.2　半导体光电二极管暗电流5.3半导体光电二极管反向击穿电压65.4半导体光电二极管结电容.5.5半导体光电二极管阵列串扰85.6半导体光电二极管反向击穿电压温度系数115.7半导体光电二极管响应度125.8半导体光电二极管阵列单元内响应度非均匀性·135. 9半导体光电二极管阵列单元间响应度非均匀性·145.10半导体光电晶体管集电极-发射极击穿电压15..5. 11半导体光电晶体管饱和压降。165. 12半导体光电晶体管暗电流17半导体光电二极管/光电晶体管上升和下降时间5.1318半导体光电二极管/光电晶体管光电流5. 1420 SJ/T 2214--2015言前本标准代替SJ/T2214.1～2214.10—1982。本标准在SJ/T2214.1～2214.10—1982的基础上除格式修改外主要变化如下：-增加了术语和定义（见第3章）；-增加了半导体光电二极管阵列串扰（直流、交流）的测试方法（见5.5）；-增加了半导体光电二极管反向击穿电压温度系数的测试方法（见5.6）；增加了半导体光电二极管响应度的测试方法（见5.7）增加了半导体光电二极管阵列单元内响应度非均匀性的测试方法（见5.8）；增加了半导体光电二极管阵列单元间响应度非均匀性的测试方法（见5.9）；将原标准名称更改为半导体光电二极管和光电晶体管测试方法。、本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所。本标准主要起草人：‘郭萍王波、崔大健。*?本标准的历次版本发布情说为：-SJ 2214.1-1982;-SJ 2214.2--1982;3:-SJ 2214 3--1982;-SJ 2214:4--1982;-SJ 2214 51982;SJ 2214. 6-1982;一-SJ 2214: 7-1982:-SJ 2214.8-1982:-SJ 2214. 9--1982;-SJ 2214. 10-1982.II SJ/T导体光电二极管和光电晶体管测试方法1范围本标准规定了半导体光电二极管和光电晶体管（以下简称“器件”）光电参数的测试方法。本标准适用于半导体光电二极管和光电晶体管光电参数的测试。本标准不适用PIN、雪崩光电二极管的测试。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2421.1--2008电工电子产品环境试验概述和指南GB/T11499--2001半导体分立器件文字符号3术语和定义3.1半导体光电二极管3.1.1正向电压forward voltageVF无光照并通过器件的正向电流为规定值时，正负极间产生的电压降。3.1.2暗电流dark currentIR (D)无光照并在器件两端施加的反向电压为规定值时，通过器件的电流。3.1.3反向击穿电压 reverse breakdown voltageVBR无光照并通过器件的反向电流为规定值时，在两极间产生的电压降。3.1.4结电容capacitanceCj无光照并在规定反向电压和频率下，器件两端的电容值。 SJ/T 221420153.1.5噪声等效功率noise equivalent powerNEP在规定光波长、调制频率和反向电压下，信号产生的均方根电流等于单位带宽均方根噪声电流时的入射光功率。3.1.6阵列直流串扰 DC array crosstalkSL (DC)在规定反向偏置电压、波长和光功率下，器件中光照单元的光电流与任意一个相邻单元光电流之比中最大值。3.1.7 AC array crosstalk阵列交流串扰SL (AC)在规定反向偏置电压、波长、光功率和交流信号下，器件中光照单元的输出信号幅值与任意一个相邻单元输出信号幅值之比中最大值。福3.1.81 temperaturecoe