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多晶硅还原炉用氮化硅制品 1 范围 本文件规定了多晶硅还原炉用氮化硅制品的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、 贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于气压烧结工艺制备的氮化硅陶瓷产品。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 1410 固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法 GB/T 5593 电子元器件结构陶瓷材料 GB/T 5594.5 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法 GB/T 6569 精细陶瓷弯曲强度试验方法 GB/T 10610 产品几何技术规范(GPS) 表面结构 轮廓法 评定表面结构的规则和方法 GB/T 10623 金属材料 力学性能试验术语 GB/T 15463 静电安全术语 GB/T 16534 精细陶瓷室温硬度试验方法 GB/T 16535 精细陶瓷线热膨胀系数试验方法 顶杆法 GB/T 17991 精细陶瓷术语 GB/T 23806 精细陶瓷断裂韧性试验方法单边预裂纹梁(SEPB)法 GB/T 25995 精细陶瓷密度和显气孔率试验方法 3 术语和定义 GB/T 17991、 GB/T 10623和GB/T 1410界定的术语和定义适用于本文件。 3.1 气压烧结 gas pressure sintering 在加热的同时施加气压作用的一种烧结技术。 [来源：GB/T 17991-2009 ，2.2.34] 3.2 三点弯曲强度 three-point flexural strength,three-point bending strength 将试样水平放置在一定距离的两支点上,在两支点的试样上方中点处承受荷载作用发生断裂时的最 大弯曲应力。 1 [来源：GB/T 17991-2009，2.3.19] 3.3 维氏硬度 Vickers hardness HV 材料抵抗通过金刚石正四棱锥体压头施加试验力所产生永久压痕变形的度量单位。 [来源：GB/T 10623-2008 ，5.26] 3.4 断裂韧度 fracture toughness 准静态单一加载条件下的裂纹扩展阻力的通用术语. [来源：GB/T 10623-2008 ，6.3.8] 3.5 体积电阻率 volume resistivity 在绝缘材料里面的直流电场强度和稳态电流密度之商，即单位体积内的体积电阻。 [来源：GB/T 1410-2006 ，3.2] 3.6 击穿电场强度breakdown electric field strength 击穿强度 与电介质被击穿的最低电压对应的电场强度。 [来源：GB/T 15463-2018 ，3.37] 4 产品分类 产品按照用途分为氮化硅绝缘环、氮化硅尾气罩和氮化硅喷嘴。 5 技术要求 5.1 外观 多晶硅还原炉用氮化硅制品表观要求为色泽均匀的深灰色完整结构件，无肉眼可见的密集斑点，无 明显的崩缺缺陷，每平方厘米上斑点数量不应大于2个，崩缺尺寸不应大于2mm。 5.2 尺寸 多晶硅还原炉用氮化硅制品为按图加工结构件，尺寸偏差控制在0.5%以内。 5.3 技术指标 多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷制品对应技术指标要求见表1。 2 表1 多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷制品技术要求 项目 技术指标 密度 / （g/cm³） ≥3.0 三点抗弯强