SJ_T 2658.12-2015半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽.pdf

ICS 31. 080L 53SJ备案号：52039-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T2658.12—2015代替SJ/T 2658.12—1986半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽Measuring method for semiconductor infrared-emitting diodePart 12: Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth2016-04-01实施2015-10-10发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.12—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；NFORMATION第5部分：串联电阻Y第6部分：辐射第7部分：射通量身第8部分；辐射强第9部辐射强度空间分布机半强度角：3第10周制带TECHNO88888888888第11响应时间分：第1峰值发1和光谱辐射带宽；时第温度系数辐射功第结温；部分：14第热阻；第 1光电转换3的第本部分为SJ265部分本部分按照GB2009《标准作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。去峰值波长和光谱半宽度的测试本部分代替SJT58.12—1986《半导体红外发光二极管测试方法方法》，除编辑性修可外主要技术变化如下：修改了峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图（见图1）细化了峰值发射波！和光谱辐射带宽的测量步骤（见5.补充了峰值发射波长和光谱辐射带宽测量方法的规定条件人请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：SJ/T2658.12—1986。 SJ/T2658.12—2015半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。INFORMATION樱ND本部分适用于半导体红外发2规范性引用文件下列文件对子本文件X件，最新版本（包括有的修改单）适用凡是不注日期的TECHNOLO半宗SJ/T 2658.体红外发第1部分：极管测工H语和定）下列术语和定义适用于本文LE3. 1峰值发射波ak-emission电流下，器件的光谱辐射分布曲线上最大辐射功率所对应的波长。在规定的正作3.2S spectral radiant bandwidth光谱辐射带宽在规定的正向工作电流下，器件的光率的规定百分比所对应的两个波谱辐射分布曲线上D长之差。4一般要求测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1方法I单色仪法5.1.1测量原理图采用单色仪法测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的原理图见图1。 SJ/T2658.12—2015IFD; D2 DiRMDUT说明：DUT被测器件‘；L聚焦透镜系统；G电流源；A电流表；D2,D3消除杂散光光阑；M单色仪；RM包括光阑D，的辐射探测系统。注：若存在器件光谱特性空间分布不均匀，导致测量重复性差，可采用被测器件置于积分球内的形式。a应尽量减少反射入被测器件内的辐射功率，以避免由于失真而影响测量准确度。b单色仪的波长分辨率和带宽应能保证足够的测试准确度；如果单色仪的光谱透过率和辐射探测系统的光谱响应度在要求的波长范围内不是常数，则应修正记录的测量数据。图1单色仪法测量峰值发射波长和光谱辐射带宽的原理图5.1.2测量步骤采用单色仪法测量峰值发射波长和光谱辐射带宽按下列步骤进行：a)按图1连接测量系统，使正向电流为规定值：b)在光谱范围内按规定间隔调整单色仪的波长，通过辐射探测系统读出每个波长读数及相应的光谱辐射功率，获得被测器件的光谱辐射功率分布（见图2)；c)光谱辐射功率分布中最大辐射功率Pp对应的波长即为峰值波长p;d)设最大辐射功率Pp的规定百分比为α%，α%Pp所对应的波长为i和22，两者之差△即为光谱辐射带宽。2 SJ/T 2658.12—2015光谱辐射功率Ppα%-Pp波长AF12注：为便于测量，光谱辐射功率分布曲线纵轴可以“相对光谱辐射功率”表示，即各波长点所对应辐射功率与峰值波长辐射功率的比值，曲线峰值可用100%表示。图2光谱辐射功率分布5.1.3规定条件有关标准采用本方法时，应规定以下条件：环境或管壳温度；a)正向电流F（直流或脉冲）；b)单色仪波长的调整间隔；c)d)最大辐射功