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晶圆级封装wlp工艺路线及设备的选择 一、 晶圆级封装技术 晶体圆压板（wlp）是bga技术创造的。这是一种改进和改进的标准芯的尺寸（csp），因此也被称为csp。晶圆级封装技术以晶圆为加工对象,在划片之前完成整个封装工序,能够显著缩小芯片封装体积,降低运输及芯片对位时间,具有封装效率高、保护芯片结构不受减薄划片等后道工序影响的优点。 晶圆级封装与传统封装在操作对象、封装形式上的不同,导致了封装线设备构成及条件需求的差异。与BGA及其他普通封装形式相比,其部分工序需要通过薄膜沉积(Thin Film)、黄光(Photo)及刻蚀(Etch)工序完成,故而在工艺布局及环境参数设计上更接近于芯片加工。在区划设计、环境参数设计、人流物流设计等工艺线设计工作中,需将上述工序与植球、研磨、切片制程统一规划,分区设计,方能在满足设备要求的前提下实现各工序之间的有机结合,完成科学高效的产线布局。 二、 晶圆级封装工艺流程 WLP区别于普通封装的核心工序在于“重新布线(RDL)”的过程。普通封装需将芯片粘贴至PCB基板或引脚框架,并通过引线互联实现内外部电路的联通,而WLP通过RDL工序实现引脚的扇入或扇出(Fan-in/Fan-out),随后通过底层金属生长以及植焊球,完成器件IO接口制作,整个过程不需要PCB基板或外部引脚框架,是一种真正的“裸片封装”。晶圆级封装与典型普通封装的主要工艺流程对比如图1所示。 工艺路线的不同导致了设备需求的差异。WLP制程中,钝化层的制备及开口、引线重新分布需要通过光刻技术来实现。通过引线重分布,实现引脚的Fan-in/Fan-out。重新布线的过程一般需重复光刻1-2次。而重新布线之后,根据封装器件的结构,某些情况下需再次沉积钝化层,以减少器件表面张力。因此,在整个封装过程中,光刻工序一般重复2-4次。 该过程主要设备需求如下: (1)黄光工艺核心设备:曝光机; (2)黄光工艺辅助设备:涂胶、显影、刻蚀。 实现重新布线及钝化层沉积后,引脚制备通过底层金属(UBM)沉积以及植球来实现。UMB制备工序可通过溅射技术完成,也可以溅射方式形成基底,后通过电镀生长至所需高度。 该过程主要设备需求包括溅射设备、电镀及辅助设备。 综上,在WLP工艺线的设计中,根据工艺流程及设备的需求,应首先满足工艺线的适用性,同时,通过整体规划、合理布置、分区设计、以体现设计的科学及高效,充分发挥各主要设备的产能并提高封装线整体利用率。 三、 设计理念：圆形压板工艺线的设计要点 (一) 工艺布局的影响 由于WLP封装线大部分工序需要在洁净环境中进行,尤其是钝化及RDL工序部分区域洁净度要求甚至达到百级,因此工艺线布局过程中一方面要体现物流的流畅,另一方面应实现布局尽可能紧凑,降低封装线建设的成本及运行能耗。因此,在工艺线的布局设计中,应遵循以下原则: 1. 平面布局采用主工艺区和动态支持区域的模式，主工艺区位于厂中中部 在满足产品生产工艺和微振、噪声要求的前提下,将空气洁净度较高的区域靠近空调机房布置。 2. 分析该产品工艺线中高相关性工序,导致设备布置空间和效率低下 一条完整的工艺线包含多个工艺步骤。其中部分工艺步骤关联程度高,甚至需要经过多次循环操作。在工艺布局的设计中,应分析该产品工艺线中高相关性工序,并将其集中布置,一方面节约设备布置空间,另一方面节省物流时间。针对晶圆级封装而言,高相关工序包括: (1)光刻胶涂布一显影一刻蚀:上述工序在钝化层制备及重新布线过程中重复2-4次,并形成微操作循环; (2)溅射一电镀; (3)植球一回流焊一植球检测。 3. 独立分隔设置 为保证气流顺畅,尽量减少隔间设置,尽可能采取大体量、大开间的平面布置,建议在以下情况下进行分隔: (1)不同洁净度之间为防止交叉污染,设置独立分隔; (2)为避免某些特种工艺对其他工序造成污染(如电镀)设置独立分隔; (3)不同防火分区之间独立分隔; (4)生产联系少,时间不同步的区域独立分隔。 4. 在火灾报警及防火分区 设备与回风夹道之间预留回风空间。 具体到防火分区的设置,根据《电子工业洁净厂房设计规范》,丙类电子工业洁净厂房的洁净室(区),在关键生产设备设有火灾报警和灭火装置以及回风气流中设有灵敏度严于0.01%obs/m的高灵敏度早期火灾报警探测系统后,其每个防火分区最大允许建筑面积可按生产工艺要求确定。晶圆级封装火灾危险性一般为丙类。根据上述规范条文,在满足规范要求的情况下,工艺区内可不再设防火分区。 结合上述设计原则,在此以某晶圆级封装线设计为例,列举其核心工艺区工艺区划如图2所示: (二) 要求选择净洁度和水温 1. 探索新型封装工艺 洁净室空气中受控粒子尺寸以往通常视为可按工艺特征尺寸的1/10～1/5考虑。随着集成度的提高,特征尺寸不断缩小以及