半导体材料术语.pdfVIP

ICS 29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T 14264—XXXX 代替GB/T 14264-2009 半导体材料术语 Semiconductormaterials-Termsanddefinitions （征求意见稿） （在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上) XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施 GB/T 14264—XXXX 前  言 本文件按照GB/T 1.1-2020 《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T 14264-2009 《半导体材料术语》。本标准与GB/T 14264-2009相比，除编辑性修 改外主要技术变化如下： ——引入了新的条目，更新了部分条目，删除了不常用条目，对术语进行重新分类； 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化 技术委员会材料分技术委员会 （SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司 本标准主要起草人： 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T14264-1993、GB/T14264-2009。 3 GB/T 14264—XXXX 半导体材料术语 1 范围 本文件规定了半导体材料生长、加工过程中涉及的产品及相关的晶体缺陷、表面沾污、几何参数、 制备、测试等方面的术语和定义。 本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。 3 一般术语 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 半导体 semiconductor (3.218) -3 9 导电性能介于导体与绝缘体之间，室温下电阻率约为10 Ω ·cm～10Ω ·cm范围内的固体物质。 注：半导体的导电是由带正电的空穴和带负电的电子的定向移动实现的；半导体按其结构可分为单晶体、多晶体 和非晶体。 3.2 本征半导体 intrinsic semiconductor (3.133) 晶格完整且不含杂质的理想半导体，在热平衡条件下，其中参与导电的电子和空穴数目近乎相等。 注：通常所说的本征半导体是指仅含极痕量杂质，导电性能与理想情况很相近的半导体。 3.3 元素半导体 elemental semiconductor (3.80) 由单一元素的原子组成的半导体材料。 注：如硅、锗、金刚石等。 3.4 化合物半导体 compound semiconductor (3.36) 由两种或两种以上不同元素以确定的原子配比形成的半导体材料。 注：如砷化镓(GaAs)、磷化铟（InP）、碲化镉(CdTe)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓（GaO）、铟镓氮（InGaN） 和铝镓铟磷 （AlGaInP）等。 3.5 宽禁带半导体 wide bandgap semiconductor 通常指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体。 注：常见宽禁带半导体材料有：SiC、GaN、ZnO、-GaO、金刚石、AlN。