半导体器件 基于扫描监控技术的半导体器件退化水平评估方法.pdfVIP

GB/Z XXXX—XXXX IEC TR 63133：2017 半导体器件 基于扫描监控技术的半导体器 件退化水平评估方法 Semiconductor devices –Scan based aging level estimation for semiconductor devices （征求意见稿） 20 － － 发布 20 － － 实施 国家市场监督管理总局 发 布 国家标准化管理委员会 GB/Z XXXX—XXXX/IEC TR 63133 ：2017 前 言 本文件按照GB/T 1.1-2020 《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》给出的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（TC78）归口。 本文件起草单位：中国电子科技集团公司第五十八研究所、无锡中微腾芯电子有限公司、中国电子 技术标准化研究院、工业和信息化部电子第五研究所、北京智芯微电子科技有限公司、西安卫广科技有 限公司、无锡晶源微电子股份有限公司。 本文件主要起草人：万永康、何静、虞勇坚、季伟伟、宋国栋、印琴、帅喆….参编单位人员。 II GB/T XXXXX—XXXX/ IEC TR 63133：2017 引 言 半导体器件在高可靠性应用中具有重要作用，例如航天、航空、道路车辆和医疗设备。新技术提高 [1] 了性能、能效、成本效益等，但其可靠性却面临严峻的挑战 。从图1 中可以看出，在早期寿命阶段， 失效率降低，以较低的恒定失效率保持一段时间后，耗损失效率显著增加。精确地监测退化水平以预警 即将发生的灾难性失效十分重要，尤其是对于高可靠性的应用。半导体退化是由负/正偏压温度不稳定、 热载流子注入、时间相关的介电击穿、电迁移和应力迁移等引起的。半导体的各种退化会导致路径延迟 [2]-[5] 会增加。尽管目前已经开发了一些退化监测技术 ，但退化水平尚未得到准确评估。对于高可靠性应 用，退化水平信息可以用于及时采取适当的措施，例如更换器件或使用动态电压-频率缩放进行性能切 换。本文件描述了一种表征退化水平的有效技术。 瞬 筛选 时 失 早期失效区间 效 （早期失效） 率 耗损失效区间 （本征失效） 工作失效区间 （非本征失效）