SJ_T 2658.11-2015半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间.pdf

ICS 31.080L 53SJ备案号：52038-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T2658.11—2015代替SJ/T2658.11—1986半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间Measuring method for semiconductor infrared-emitting diodePart 11: Response time2016-04-01实施2015-10-10发布发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.11—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；-第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；FORMAT第5部分：串联电阻AFEZARY第7部分：TION辐射强第8部分第9部分辐射强度空问分布机卡强店角第10调制带TECHNOL蒸响应时第118分：第12峰值发射长和光谱辐射带宽；部分温度系数第13辐射功第14部分结温；第15热阻；阶份第1光电转部分本部分为SJ/T2658的第本部分按照M2009《标准化作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。558.11—1986《半导体红外发光二极管测试方法/脉冲响应特性的测试方法》，本部分代替除编辑性修改外主要技术变化如下：一响应时间的定义中补充了半导体红外发射二极管的响应过程图见图！修改了响应时间的测量原理图（见图2）；RD修改了响应时间的测量步聚牛（见53）补充了响应时间测量方法的规定条件请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：-SJ/T2658.11—1986。 SJ/T2658.11—2015半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定条件。DINFORMATIOA樱ND本部分适用于半导体红外USTRY2规范性引用文件下列文件对子件的应用是必少的，凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的用文件，最新版本（包括质本文有的修改单）TECHNOL半导体红外SJ/T 2658.6二极管测量第1部分：HO3术语和定）下列术语禾和定义适用于本文H3.1S响应时间responsetime在规定的正向矩永冲电流作用下，被测器件辐射的光脉冲对作用的矩形电流脉冲的响应时间。其中，从电脉冲幅度的10%到光脉冲幅度的10%所需的时间间隔为开通延迟时间(on)；从光脉冲幅度的10%上升到90%所需的时间间隔为上升时间t；被测器件的开通时间nn为开通延迟时间ta(on)与上升时间t之和；从电脉冲幅度的90%到光脉冲幅度的90%所需的时间关断延迟时间ta(of)，从光脉冲幅度的90%下降到10%所需的时间间中间tof关断延迟时间 ta(of)与下降时间 tr之和（见图1）。 SJ/T2658.11—2015相对输入脉冲电流(%)输入脉冲电流100直流偏置时间相对输出辐射功率(%)时间td(of)donfof说明：-开通延迟时间；td(on)-上升时间；f-开通时间（开通延迟时间ta(on)与上升时间t之和）ton-关断延迟时间；td(off)下降时间；关断时间（关断延迟时间ta(om与下降时间t之和）toff注：图中0%对应的辐射功率是在直流偏置电流下的输出功率，100%对应的辐射功率是辐射脉冲顶端获得的平均输出功率。图1器件响应过程图4一般要求测量响应时间的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1测量原理图器件响应时间的测量原理图见图2。2 SJ/T2658.11—2015DU说明：DUT被测器件‘；Gi高阻电流脉冲发生器b；G2直流电流偏置电源；G3直流电压偏置电源；Rd匹配发生器阻抗的电阻；RL负载电阻；M能够同时测量输入、输出波形的测量仪器(如示波器);PD光电二极管°。注：仅考虑被测器件的光学窗口。a被测器件的上升时间和下降时间都应至少为输入电流脉冲的5倍；被测器件的上升时间应至少为测量仪器(如示波器)的5倍。b输入电流脉冲应选择适宜的脉宽，脉冲过冲应小于10%，占空比应小于1/100。°光电二极管的频率响应应比被测器件至少高5倍。图2响应时间测量原理图5.2测量步骤响应时间的测量按下列步骤进行：给被测器件施加规定的直流I和脉冲电流，给光电二极管施加规定的反向偏压VR，并把被测a)器件输出的脉冲光对准在探测用光电二极管的光敏区内；b)用测量仪器M观察输入的电脉冲信号和经光电转换的输出光脉冲信号（见图1），按图1所示读出