l波段磁绝缘线振荡微波功率功率功率效率研究.docxVIP

l波段磁绝缘线振荡微波功率功率功率效率研究 磁极线衍射器（milo）是一种低阻正交场微波设备。主要优点是没有必要添加磁体。它的直接磁体由管道的内部电流提供，这与正交磁体的流动速度有关。MILO产生的直流磁场阻止电子从阴极发射到阳极慢波结构叶片上,这种自绝缘机制杜绝了阴阳极的电子击穿,允许较高的外加电压和较高的输入电功率。因此,该器件在实用化方面具有较广阔的前景。 经过多年的努力,有效地抑制了模式竞争,得到了稳定的单模输出微波,提高了器件的输出功率和功率效率。同时,为了使得器件更加的紧凑,需要开展“硬管化”研究。本文从硬管化的要求出发,对原有的MILO器件进行了优化设计,其主要内容有:(1)采用平板开槽的陶瓷绝缘子取代了锥形的尼龙绝缘子,并对相应的屏蔽环进行了改进,以达到缩短二极管的整体长度的目的,避免二极管的耐压不足;(2)根据改进的二极管结构,将其与器件进行整体的模拟,从而对器件进行了粒子模拟和优化设计;(3)对微波输出段,模式转换与辐射天线的一体化设计,包括缩短微波输出段的长度,减小辐射天线的口径,并将陶瓷介质窗取代了聚四氟乙烯天线介质窗,从而使其达到小型化和硬管化的要求;(4)研制出了L波段硬管MILO的保真空系统,保真空时间超过5 h。 1 阴阳极的研究 二极管主要是包括绝缘子、屏蔽环、阴极和阳极。二极管与器件密不可分,在MILO器件研究中,阳极主要是指器件的叶片,同时阴极进入了互作用区,因此将阴阳极作为器件的一部分来进行研究,而对二极管的研究主要是针对绝缘子和屏蔽环的研究。在以往的MILO研究中,二极管的绝缘子通常是采用锥形的尼龙绝缘子,在圆锥顶上加屏蔽环,如图1所示。 1.1 陶瓷在轴向距离上的应用 为了进行小型化并考虑到耐压的要求,减小二极管的轴向距离,采用平板型的绝缘子。为了进行硬管化,选用陶瓷作为二极管的绝缘子材料。为了增加沿面爬电距离,绝缘子采用平面开槽结构,如图2所示。 1.2 双屏蔽环式导电系统 为了使得三相点的场强足够低,确保二极管的耐压能力能 够达到设计要求,我们设计了半球形的屏蔽环,为了减轻重量,将球体掏空。根据屏蔽环的屏蔽原理,设计了双屏蔽环,以达到最大限度地降低三相点场强的目的。在设计的过程中,对不同情况、不同的球半径进行了模拟。当两个半球屏蔽环的半径均为50 mm时,二极管区的径向电场分布如图3所示。当所加电压为500 kV时,二极管区Er场强分布图,此时三相点场强约为5 kV/cm。 1.3 正常电极电压、电流波形 针对硬管化的要求,结合模拟的结果,对二极管的结构形式、二极管绝缘子的材料等进行了大量实验研究。图4(a) 表示正常的二极管电压、电流波形;图4(b)表示二极管耐压不足时,有击穿的电压、电流波形。 2 lo结构的模拟及结果分析 主要针对6个叶片的MILO进行了粒子模拟与优化设计。研究了叶片周期、叶片径向尺寸、阴极半径和与叶片的相对位置、提取间隙、电子束电压电流等对输出微波的影响。 根据实验条件,在420 kV,36 kA的条件下,输入MILO的电压波形为真实脉冲波形,改进MILO的结构(如图5所示)参数为:叶片数为6个;前2个为扼流片;第3至第5叶片为互作用叶片;最后一个叶片为提取叶片。 慢波结构周期为39 mm,叶片厚度为7 cm;输出口内外径分别为82和143 mm;采用阶梯阴极,第一阴极杆半径r=53 mm,第二阴极杆半径r=46 mm。改进后得到了频率为1.20 GHz、功率为1.5 GW的模拟微波输出,模拟结果见图6~8。通过数值模拟发现,输出波导中支撑杆的位置对输出微波有一定的影响,输出腔间隙的大小及叶片内径大小对输出微波有较大影响。原因是由于空间结构变化,场分布也发生改变,使得电流的发射以及调制变化很大,相应的输出功率也发生变化。 在二极管设计完成后,将二极管和器件进行了整体的模拟。图9显示,当微波起振后形成了电子轮辐。图10为微波起振后Er电场的分布。当二极管的结构合适时,模拟的微波输出结果与上述一致。 3 辐射天线的开发 3.1 轴向辐射天线的设计 由于MILO器件产生的微波模式为TM01模式,是对称模式,不利于微波源的定向辐射,因此需要研究和设计出模式转换器,并设计出高增益的轴向辐射天线。考虑到高功率微波的功率容量以及一体化的要求,我们设计出了如图11所示的轴向辐射天线。采用分区并利用介质移向的方法,实现了TM01-TE11模式的转换。移相介质块采用介电常数较大的尼龙。图12为计算的远场方向图。 3.2 天线冷测的远场方向 一体化设计的微波辐射天线(带模式转换器)经过安装调试后,进行了实验。图13为冷测的天线驻波曲线。图14为天线冷测的远场方向图。通过比较法测试的天线增益如表1所示。图15为天线热测的远场方向图,即在高功率微波辐射条件下,通过测试辐射场不同位