第二章半导体中杂质和缺陷能级.pptxVIP

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2023-08-14 发布于江苏
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第二章半导体中杂质和缺陷能级.pptx

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第二章半导体中杂质和缺陷能级;（4）杂质能级;2、施主能级;在Si单晶中，V族施主替位杂质的两种荷电状态的价键;施主能级;施主电离能;施主电离过程示意图;3、受主能级;在Si单晶中，III族受主替位杂质的两种荷电状态的价键;（2）受主电离;受主电离能;受主电离过程示意图;4、浅能级杂质;（2）浅能级杂质的作用;5、浅能级杂质电离能的简单计算;（2）用类氢原子模型估算浅能级杂质的电离能;正、负电荷所处介质的介电常数为：;6、杂质补偿;NDNA时：n 型半导体因EA在ED之下，ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚电子再电离到导带上。;NAND时：p 型半导体因EA在ED之下，ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离到价带上。有效受主浓度： NA*=NA-ND;NA≌ND时：杂质高度补偿;7、深能级杂质;例1：Au（I族）在Ge中 Au在Ge中共有五种可能的状态：;例2：Au（I族）在Si中;Si;§2.3 缺陷能级;（1）Si中的点缺陷