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高次谐波抑制系统的设计 光束射线上的光束元件通常使用阴影和晶体。它们的分光原理基于阴影方程和布局公式。因此, 光束线输出的单色光中除了基波成分外, 必然存在高次谐波, 其波长为1/n基波波长 (n=2, 3, 4, ···) 。高次谐波的含量不仅取决于分光元件, 还与入射到分光元件上的光谱通量等因素有关。使用含高次谐波的“单色光”, 会使实验数据因谐波干扰而误差增大, 甚而导致错误的实验结论。因此, 抑制光源中的高次成分, 提高光源品质, 对提高实验结果的精确度具有重要意义。 在极紫外和软X射线波段, 抑制高次谐波的常用方法是在光路中加入薄膜滤光片和高次谐波抑制镜。滤光片的原理基于元素在其吸收边前后对电磁波透射比的剧烈变化, 但滤光片的透射窗口较窄, 仅能在很窄的能量范围起作用, 要覆盖较宽的能区须用多种滤光片, 如从极紫外到亚keV能区, 需特定厚度的Al、Si、B、C、Ti、Cr、Cu等薄膜滤光片。此外, 在满足一定抑制比的前提下, 基波损失较严重, 只能滤除较低级次的谐波, 某些滤光片材料还存在易氧化和带针孔等问题。由平面反射镜组成的谐波抑制镜可克服上述缺点:平面镜的反射率与入射角和镜面材料的光学常数有关, 对于特定的入射角和镜面材料, 平面镜有一个截止能量, 低于该能量的入射光的反射率接近100%, 入射光能量超过该能量, 则反射率迅速下降, 从而实现低通滤波器的功能。除采用这两种方法抑制高次谐波外, 低分辨的衍射元件也可作为带通滤波器, 如应用于软X射线能区的由低Z和高Z材料交替生长形成的周期性多层膜。 北京同步辐射装置 (BSRF) 的4B7A中能光束线 (原3B3)的双晶单色器采用晶体KTP (110) 作为分光元件, 输出光谱范围:1200—2100 e V;4B7B软X射线光束线的分光元件采用变线距光栅, 需要抑制谐波的能区为45—450 eV。本文介绍这两条光束线的基于平面反射镜的高次谐波抑制系统。 1 结构简图2 图1是4B7B软X射线光束线 (a) 和4B7A中能光束线 (b) 的谐波抑制镜结构简图。前者系互为对称的两组平面镜, 同组两块平面镜互相平行, 入射光的掠入射角为θ, 经过四块平面镜反射后, 出射光的方位与入射光保持一致。后者由一对相互平行的平面镜组成, 平面镜的掠入射角为θ, 出射光与入射光方向相同, 但位置偏移。 1.14 重晶硅平面镜 4B7A光束线的谐波抑制波段 (1200—2100 e V) 的最长波长与最短波长之比2, 因此采用一组平面镜即可。平面镜衬底为晶体硅, 镀层为C, 掠入射角取为0.84°。谐波抑制镜接收1 mm高度的光斑, 平面镜的最小长度为68.3 mm。此结构的出射光位置有3mm偏移, 可由微调第二块平面镜或调节样品台高度解决。但其镜箱的长度小、内部机械结构简洁。若为保持出射光方位而采用类似4B7B的四平面镜结构, 并非上策。 1.24 谐波抑制系统设计 图2给出了4B7B软X射线光束线的布局图。同步辐射光经超环面镜 (TM1) 进入由入射狭缝 (Slit1) 、球面镜 (SM) 、平面镜 (PM) 、变线距光栅 (Grating) 和出射狭缝 (Slit2) 组成的单色器系统, 出射单色光经后聚焦镜 (TM2) 聚焦在样品 (Sample) 位置。Slit2到TM2和TM2到样品 (焦点) 的距离均仅为2 m, 其间还有差分扁管和差分离子泵, 留给谐波抑制系统的空间非常有限, 因此, 谐波抑制系统的设计须十分紧凑。相比于两块平面镜的结构, 在相同抑制比的条件下, 我们采用的四块平面镜结构具有高的基波反射率。但要抑制40—400 eV能区的高次谐波, 需要由图1 (a) 所示的四组抑制镜, 每组镀层材料分别为Si、C、C和V, 掠入射角固定, 分别取为5o、9o、4.5o和3o。四组抑制镜安装在一个镜箱内, 其机械机构可使每组抑制镜依次切换到光路中或退出光路。 表1给出了4B7B光束线谐波抑制镜的各项参数。平面镜基底为晶体硅, 45—80 eV能区的镜面无须镀层, 其它镜面根据元素内壳层吸收边以及元素原子序数尽量小的原则选择镀层材料, 采用磁控溅射镀膜机镀制。选择合适的掠入射角使抑制镜达到要求的抑制比, 并使基波反射率尽量高。镜箱位于后聚焦镜下游1.5 m处, 此处的光斑高度由ShadowVUI追迹得到。光斑高度与光子能量有关, 能量越低光斑高度越大, 表1中所示的光斑高度均为该能区的最大值。由光斑高度和掠入射角计算出平面镜完全接收入射光时的最小长度, 据此确定平面镜的实际长度。 2 性能与讨论 2.14 b最优条件下含辐射力 图3是计算得到的4B7A高次谐波抑制系统在不同光子能量下的传输效率。传输效率等于两块平面镜反射率的乘积。掠入射角为0.86°时, 2100