《自动检测技术（第3版）》习题与思考题解答（9）.pdfVIP

习题与思考题解答（第9 章） １．什么是霍耳效应？ 解：在置于磁场中的导体或半导体内通入电流，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂 直的方向上会出现一个电势差，这种现象称为霍耳效应。利用霍耳效应制成的元件称为霍耳 传感器。 ２．为什么导体材料和绝缘体材料均不宜做成霍耳元件？ R 解：载流体的电阻率 ρ 与霍耳系数 R 和载流子迁移率 μ 之间的关系为= H H  、 霍耳电压 U 与材料的性质有关。材料的 ρ μ 大，R 就大。金属 μ 虽然很大，但 ρ H H 很小，故不宜做成元件。 ３．为什么霍耳元件一般采用Ｎ型半导体材料？ 解：在半导体材料中，由于电子的迁移率比空穴的大，即 μ ＞μ，所以霍耳元件一般采用 n p Ｎ型半导体材料。 ４．霍耳灵敏度与霍耳元件厚度之间有什么关系？ 1 解：霍耳电压 U 与元件的尺寸有关。根据式K= ，d愈小，K 愈大，霍耳灵敏度愈 H H H nqd 高，所以霍耳元件的厚度都比较薄，但 d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 5 ．一块半导体样品如图9-1所示，其 中d=1.0mm ，b=3.5mm ，l=10mm ，沿 x方向通以I=1.0mA 的电流，在z轴方向加有B=100T 的均匀磁场，半导体片两侧的电位差U=6.55mV。 （1）这块半导体是正 电荷导电 （P型）还是负电荷导电 （N型）？ （2 ）求载流子浓度为多大？ 解：1）根据图9-1应是N型半导体。 2 ）由于 U =KIB H H 3 U 6.55 10 得出K= H  6.55 102 V A T ／（  ） H IB1.0 103 100   1 设载流子浓度为 n，由于K= ，则 H nqd 1 1 n 0.095 1024 / m3 950 1020 / m3     个   个 Kqd6.55 102 1.602 1019 1 103      H 6．某霍尔元件尺寸为L=10mm ，W =3.5mm ，d=1.0mm ，沿L方向通以电流I=1.0mA，在垂直 于L和W 的方向加有均匀磁场B=0.3T ，灵敏度为22V ／（A ·T ），试求输出霍尔电势