高中物理：带电粒子的运动.docx

试卷第 =page 14 14页，共 =sectionpages 14 14页 试卷第 =page 13 13页，共 =sectionpages 14 14页 带电粒子在复合场中的运动 1．如图所示，有一金属块放在垂直于表面C的匀强磁场中，磁感应强度B，金属块的厚度为d，高为h，当有稳恒电流I平行平面C的方向通过时，由于磁场力的作用，金属块中单位体积内参与导电的自由电子数目为（上下两面M、N上的电压分别为UM、UN）（ ） A． B． C． D． 2．如图1所示，空间中放置一个平行板电容器MN，板长和板间距均为，两极板上电压，。极板右侧是一个无穷大匀强磁场区域，方向垂直纸面向里，磁场左边界CD紧贴极板右侧，磁场中放着一块与CD平行的足够长金属板，与CD间距为。有一粒子枪S，可以不断产生初速度近似为零的X和Y粒子，X粒子的质量为m，电荷量为+q，Y粒子的质量为4m，电荷量为+，两种粒子经过枪内内置的加速电场加速后，能水平射入两极板间，内置加速电场的电压为，粒子枪可沿极板左边界EF上下移动。现将粒子枪紧靠在M极板的左端E处，发现射出的X粒子恰好击中金属板上的B点，虚线AB是平行板电容器的中线。不考虑粒子间的相互作用，求： （1）X粒子在电场中偏转的位移； （2）磁感应强度B的大小； （3）金属板被两种粒子都击中的区域长度d； （4）将金属板移到M板右上方并紧贴磁场左边界CD，如图2所示，Q点与M极板右端重合且彼此绝缘，将极板MN上的电压改为，带电粒子在偏转电场中运动时间远小于所加交流电的周期且N极板可上下平移（F点随极板N一起移动），粒子枪内置的加速电压不变。当粒子枪S在EF上移动时，发现击中金属板的X粒子和Y粒子的区域不重叠（粒子打到板立即被导走）求极板M、N间距L的范围。 3．在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，选择出一定速度的离子，然后通过磁分析器I，选择出特定比荷的离子，经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外；速度选择器中的匀强电场场强大小为E，方向竖直向上。磁分析器截面是矩形，矩形长为，宽为。其宽和长中心位置C和D处各有一个小孔；半径为L的圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外，磁感应强度大小可调的匀强磁场，在一条竖直线上，为圆形偏转系统的直径，最低点M到硅片的距离，不计离子重力。 （1）求离子通过速度选择器后的速度大小； （2）求磁分析器选择出来的离子的比荷； （3）若偏转系统磁感应强度大小的取值范围，求硅片上离子注入的宽度。  4．为了探测带电粒子，研究人员设计了如图甲所示的装置。纸面内存在一个半径为R、圆心为的圆形匀强磁场区域，磁场方向垂直纸面向外，该磁场区域在垂直纸面的方向上足够长。以右边的O点为坐标原点建立一平面直角坐标系，O和两点间距离为2R。y轴与连线垂直，x轴（图甲中未画出）正方向垂直纸面向里，在平面内存在一个足够大的探测屏.圆形磁场区域正下方存在一个长度为R且与y轴垂直的粒子源，该粒子源各处均能持续不断地发射质量为m、电荷量为+q的粒子，粒子发射时的速度大小均为，方向均沿y轴正方向，从粒子源中点发射的粒子速度方向恰好指向，已知粒子在圆形磁场中做圆周运动的半径为R，不计粒子重力和粒子间相互作用力。 （1）求圆形匀强磁场区域的磁感应强度大小B； （2）求从粒子源右端点N发射的粒子从进入磁场到打到屏上所经历的时间t； （3）若在圆形区域内再加上一个沿x轴正方向、场强为且足够长的匀强电场，此时从粒子源中点及左右端点M、N发射的粒子打在屏上、、三点上，如图乙所示； ①请指出从M点发射的粒子打在屏上哪一点；（不要求写推导过程） ②求打在屏上的所有粒子中与O点相距最远的粒子在屏上的坐标。  5．如图所示，粒子源发射质量为m，电荷量为+q的离子，经加速后沿水平方向进入速度选择器、磁分析器和电场偏转系统最后打在xOy平面上。速度选择器为四分之一圆环的辐向电场（方向指向，中轴线上的场强大小为E），其两端中心位置M和N处各有一个小孔，圆环内外半径分别为L和3L。离子从M孔穿出后进入磁分析器，磁分析器也是一样的四分之一圆环，其圆心和电场圆心重叠，内部分布垂直纸面向内的匀强磁场，离子经磁场偏转后从PQ出口（包含P、Q两点）离开。之后进入电场偏转区，此处分布有垂直纸面向外的匀强电场，电场强度大小也为E，离子经匀强电场偏转后打在xOy平面上，xOy平面距PQ距离为2L，其中圆环中轴线刚好正对O点。求： （1）能通过速度选择器的离子速度大小； （2）要保证离子能顺利通过磁分析器，磁感应强度B的取值范围； （3）若磁分析器中的磁场强度为，离子落在xOy平面