砷化镓材料物理特性及应用.docx

砷化镓物理特性及应用 院系：可再生能源学院 专业：新能源材料与器件 班级：能材 1201 班 姓名 : 侯晓娟 学号： 08 2015 年 1 月 摘要：文章从砷化镓材料的结构，物理特性以及应用方面，对砷化镓材 料进行了简单的介绍和了解。川-V 族半导体砷化镓具有禁带宽度大且为直接带 隙、本征载 流子浓度低，而且具有半绝缘性能，其具有耐热、耐辐射及对磁场 敏感等特性，制造的器件也具有特殊用途和多样性 ，应用已经延伸到硅、锗器件 所不能达到的领域，是用途广泛，非常重要的一种半导体材料。 关键词：砷化傢 直接带隙结构 川-v 族半导体 半绝缘砷化傢 一. 引言 化合物半导体材料砷化傢 （GaAS 和磷化铟（InP）是微电子和光电子的基 础材料，而砷化镓则是化合物半导体中最重要、用途最广泛的半导体材料，也 是目前研究得最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。由于砷化镓具有电子 迁移率高 （是硅的 5~6 倍）、禁带宽度大（它为，Si 为）且为直接带隙，容易 制成半绝缘材料（电阻率 ~ Jem）、本征载流子浓度低、光电特性好。用 砷化镓材料制作的器件频率响应好、速度快、工作温度高，能满足集成光电子 的需要。它是目前最重要的光电子材料，也是继硅材料之后最重要的微电子材 料，它适合于制造高频、高速的器件和电路。 此外,GaAs 材料还具有耐热、耐辐射及对磁场敏感等特性。所以 ,用该材料 制造的器件也具有特殊用途和多样性，其应用已延伸到硅、锗器件所不能达到的 领域。即使在 1998 年世界半导体产业不景气的状况下,GaAs 材料器件的销售市 场仍然看好［1］。当然,GaAs 材料也存在一些不利因素，如:材料熔点蒸气压高、组 分 难控制、单晶生长速度慢、材料机械强度弱、完整性差及价格昂贵等大 ，这都 大影响了其应用程度。然而,GaAs 材料所具有的独特性能及其在军事、民用和 产业 等领域的广泛用途，都极大地引起各国的高度重视，并投入大量资金进行开发 和研究 材料的结构 砷化镓的晶体结构 砷化傢晶格是由两个面心立方（fee）的子晶格（格点上分别是砷和傢的两个子 晶格）沿空间体对角线位移 1/4 套构而成。这种晶体结构在物理学上称之为闪锌 矿结构。图 1 给出了砷化镓晶胞结构的示意图，表 1 给出了在室温下目前已知砷 化镓半导体材料的物理、电学参数。关于砷化镓的化学组成形式 ,III-V 族化合物共价键模型认为[2]:这类化合物形成四面体共价结合，成键时 III 族原子提供 3 个 组 态的价电子，而 V 族原子提供 5 个 :组态的价电子，它们之间平均每个 原子有四个 价电子，正好可用作形成四面体共价结合之用。这类化合物以共价 结合为主，但却混杂有部分离子结合性质。这是由于 V 族元素的电负性比 III 族元素大，组成晶体时，部分电子将从电负性低的原子（山族元素）转移到电负性较高 的 原子（V 族元素）中去，电荷的这种转移（极化）使 III 族元素带正电,V 族元素 带负 电。如果引用有效电荷 Z*e 这个概念来描述这种电荷转移的程度，则“共价键” 模型可认为砷化镓晶体以共价结合为主，但混杂有部分离子结合性质，每个离子带 有效电荷 Z*e。 国 I 岬化银品胞小倉罔 I F 「圧 室岀 呻化探材料的啊质 「 相共塞数 相关参數 晶低结构 闪蒔矿 热导率 0.55 W/(cm * V) 5.65 A fi/cm3 介电系 Sfc 禁帶世匪 12.85 L42 e V 原了密度 4-.5X 10s 击穿场强 3.3 kV/cm 分子式重量 分子式重量 纵向弹性模虽精向弹性榄量 胞售礫尊速度 2 J x lOcm/s 7.i5xL0ndyn/an3 3x Ltf dyn/cm 皑子迁移率（非摟） 肪 00 cm:/( V s) 电了迁穰率（摟確 lx]OJVcmW） 1500 eni7( V ) 热楼胀系 热容量 空穴迁穰率〔非樓） 400 cmV(V - s ) 0J27 J/(g* K) 熔点 12 势 t 砷化镓的能带结构 由量子理论知道，孤立原子周围的电子具有确定的能量值，当离散的原子聚集在一起形成晶体时，原子周围的电子将受到限制，不再是处于单个独立能级，而是处于一个能量允许的范围内，这一模型就是我们在半导体物理学上所谓的能带理 论 模型。[3] 图 2 给出了硅和砷化傢在 k 空间的能带结构示意图，由图可看出，硅的导带最小值与价带最大值位于不同 k 空间，而砷化傢的导带最小值与价带最大值则位于k=0 处,这意味着在砷化傢中，电子发生跃迁时可直接从导带底到达价带顶。与硅 相比，电子在从导带跃迁到价带过程中只需要能量的改变，而动量则不发生改变。 这一性质使砷化镓在制造半导体激光器（LD 和发光二极管（LED 方面具有得天独 厚的优势，当一个