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基于有限元的80am1oe磁场传感器的研究 1 磁传感技术的应用 一般磁体有三种类型：霍尔元件型、磁阻型和磁通型。霍尔元件式磁性传感器一般情况下用于磁场大于0.5 m T并且磁场方向垂直于霍尔元件的场合, 磁电阻式磁性传感器和磁通门式磁性传感器具有非常高的灵敏度, 用于低磁场测量。然而与霍尔式磁性传感器相比, 在低场情况下的DC磁场测量, 各向异性磁电阻式磁性传感器需要设置一个复位线圈, 这和传统的CMOS芯片技术的工艺不相兼容;虽然磁通门传感器在现阶段可以完全集成到单一的CMOS芯片上, 但是由于磁场存在突变, 这就需要一个大的电流来满足开环磁心的饱和, 这有悖于低功耗的要求。 前述磁性传感器都是一维传感器, 即只能探测磁场在某个方向的大小。在需要探测磁场矢量的场合, 比如电子罗盘、导航系统等, 通常需要将三个传感器三维组合起来形成三轴传感器, 这样就大大增加了器件的设计难度和尺寸, 不利于器件的集成和小型化。因此, 有人提出了采用磁集中器使磁力线发生偏转的方法, 进而实现三维磁场的一维测量。在实际的传感器设计中, 磁集中器的大小、材料的性能参数、探测元件的大小、空间位置等对最终的三维传感器性能都有一定的影响。本文中我们就以目前应用最为广泛的霍尔传感器为例, 运用有限元分析软件COMSOL Multiphysics系统计算了加入磁集中器后对原磁场的影响, 并给出了空间磁场的三轴