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9.3 微带线振荡器 1. 2 GHz振荡器 双极结晶体管的参数和电路设计结果如图 9-12所示。电感LB的加入,可保证振荡稳定。可以验算,|S11′|1, |S22′|1。电容C与管子引线电感构成谐振回路,电容C可以用变容管、YIG或介质谐振器代替,来构成不同功能的振荡器。微带线是阻抗变换网络。 当前第31页\共有61页\编于星期三\7点 图 9-12 2GHz振荡器的管子参数和设计结果 当前第32页\共有61页\编于星期三\7点 2. 同轴型介质谐振器振荡器 在微波低端,近年大量使用同轴型介质谐振器制作振荡器。图9 - 12 所示振荡器中的电容C的位置可以用介质谐振器代替,重新设计其他元件,这样能提高振荡器的频率稳定性。 如图9 - 13 所示是四分之一波长的内圆外方同轴谐振器。圆柱套型高介电常数的陶瓷介质内外表面有金属导体,引脚端开路,另一端短路。谐振器的边长与内径满足高Q条件。 当前第33页\共有61页\编于星期三\7点 图 9-13 同轴介质谐振器 当前第34页\共有61页\编于星期三\7点 表9 - 4 常用同轴介质谐振器 表9-4 给出了不同介电常数的使用频段。 当前第35页\共有61页\编于星期三\7点 同型介质谐振器等效为一个并联谐振回路。谐振时的等效电阻为 式中,Z0为谐振器的特性阻抗,R*为导体损耗,l为谐振器长度。如在450MHz、介电常数88条件下,可得Rp=2.5kΩ。 图9-14 给出了使用这种谐振器的振荡器典型电路。变换谐振器尺寸,可以工作在0.5~2.5GHz频率范围。变容管调谐可以在一定范围内实现压控振荡器(VCO)。 当前第36页\共有61页\编于星期三\7点 3. 圆柱(方柱)介质谐振器FET振荡器 如图9-15所示,圆柱型介质可以等效为一个并联谐振器。将这个振荡器放入前述4GHz振荡器中,可得图9-16所示介质振荡器。 当前第37页\共有61页\编于星期三\7点 图 9-15 圆柱型介质谐振器 当前第38页\共有61页\编于星期三\7点 图 9-16 4GHz介质振荡器 当前第39页\共有61页\编于星期三\7点 介质谐振器与微带电路的耦合参见图9-17。调节谐振器的三维位置就可改变耦合量。 当前第40页\共有61页\编于星期三\7点 图 9-17 介质谐振器与微带线的耦合 当前第41页\共有61页\编于星期三\7点 图9 - 18给出各种介质谐振器的安装拓扑。微波场效应振荡器的技术成熟于20世纪80年代, 目前已在各类微波系统中得到使用。 当前第42页\共有61页\编于星期三\7点 图 9-18 各种微波介质振荡器 当前第43页\共有61页\编于星期三\7点 * 西安电子科技大学智能天线实验室 第9章 射频/微波振荡器 9.1 振荡器的基本原理 9.2 集总参数振荡器 9.3 微带线振荡器 9.4 压控振荡器(VCO) 9.5 变容管倍频器 当前第1页\共有61页\编于星期三\7点 9.1 振荡器的基本原理 9.1.1 振荡器的指标 射频/微波振荡器的主要技术指标是频率和功率。 1. 工作频率 振荡器的输出信号基本上就是一个正弦信号。要做到振荡频率绝对准确,是不可能的。频率越高,误差越大。影响频率的因素很多,如环境温度、内部噪声、元件老化、机械振动、电源纹波等。实际设计中,针对指标侧重点,应采取相应的补偿措施。调试中,也要有经验和技巧,才能达到一定的频率指标。关于频率经常会遇到下列概念。 当前第2页\共有61页\编于星期三\7点 (1) 频率精度。频率精度有绝对精度(Hz)和相对精度(ppm)两种表示方式。相对精度是最大频偏和中心频率的比值。绝对精度是给定环境条件下的最大频偏。 (2) 频率温漂。随着温度的变化,物质材料的热胀冷缩引起的尺寸变化会导致振荡器的频率偏移,这种频偏是不可避免的,只能采取恰当的方法降低。常用的方法有:温度补偿(数字或模拟微调)、恒温措施等,用指标MHz/℃或ppm/℃描述。 (3) 年老化率。随着时间的推移,振荡器的输出频率也会偏移,用ppm/年描述。 (4) 电源牵引。电源的纹波或上电瞬间会影响振荡器的频率精度,也可看作电源的频率调谐,用Hz/V表示。在振荡器内部增加稳压电路和滤波电容能改善这一指标。 当前第3页\共有61页\编于星期三\7点 (5) 负载牵引。在振荡器与负载紧耦合的情况下,振荡频率会受到负载的影响,使负载与振荡器匹配,增加隔离器或隔离放大器,减小负载的牵引作用。 (6) 振动牵引。振荡器内谐振腔或晶振等频率敏感元件随机械振动的形变,会影响振荡器的输出频率。振动敏感性与
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