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多孔硅在mems领域的应用 1 纳米多孔硅材料的研究 近年来，随着ps（电子纳心计算机系统）技术的发展，ps领域越来越大。其中，微热敏器是微系统中重要的敏感装置之一。为了探测出于其他物理因素（如红外或紫外、气体流量、气体成分、血液流动和其他非功率测量，它们都可以利用微热敏器对温度的敏感感知原理将这些非能量转化为动态信号输出，并制备相应的温度、红外、气体流量、生物等微传感器。因此,研究高性能、高可靠的微热敏器件是研究各类以感知温度为原理的微传感器及微传感系统的基础,具有重要意义。 具备稳定高效的热绝缘结构是确保微热敏器件具有工作稳定、灵敏度高和快速动态响应等特性的关键因素。目前微系统实现热绝缘的方式主要有两种,其一是将微器件置于采用微机械工艺制作的悬浮结构上,其二是采用高分子薄膜等热导率较低的材料作为基底来实现热绝缘。两种方法虽各有所长却也都存在不可避免的缺点。前者由于机械性能差而容易造成悬浮结构的坍塌,后者所采用的材料无法与常用IC工艺兼容。因此探索更适合的热绝缘材料或方法成为使微热敏元件具有优良性能和高可靠性的关键问题。具有微/纳米尺度孔洞的多孔硅材料,不仅热导率远低于硅材料,且与IC工艺兼容,将其作为微系统中微热敏元件的绝热基底层,可以有效地避免上述各种缺点,从而提高微热敏器件的性能和可靠性。目前,国内对多孔硅的研究多集中在制备方法、光学性能及形貌分析等方面,对其热导率等热学性能方面还鲜有研究。国际上所报道的多孔硅热导率测量方法主要有三种:热波法、光声法和显微拉曼光谱法。其中热波法过程复杂且易损伤试样表面,光声法需进行大量数据分析,因此本次实验采用对试样无损伤且易进行数据处理的显微拉曼光谱法,对不同条件制备的多孔硅进行了热导率的测量并对结果进行了分析。 2 局部温升与多孔硅热导率的关系 显微拉曼光谱法测量多孔硅热导率主要基于以下两点原理:一是显微拉曼光谱仪的激光束作用在试样表面上引起的局部温升直接与多孔硅的热导率相关;二是激光束引起的局部升温可通过拉曼光谱谱峰位置的偏移推算出来。测量装置原理图如图1所示。显微拉曼光谱仪由激光光源、样品室、分光系统、光电检测器、记录仪和计算机等部件组成,其测试结果为一系列的波谱图形。当采用较大功率的激光进行拉曼光谱的扫描时,激光束作用在试样表面上会引起试样的局部升温(为保证热量仅在多孔硅层中传播而不会通过硅基底散发,多孔硅试样的厚度需大于激光束的直径),这一温升即会反映在拉曼谱峰位置的移动上,Perichon等人推导出局部温升与多孔硅热导率间的关系如式(1)所示。 K=2Pπa(Tj?Tb)(1)Κ=2Ρπa(Τj-Τb)(1) 式中K为热导率,P是激光功率,a为激光束斑直径,Tb为基底温度,Tj为激光引起的温升。其中P、a和Tb均为已知参数,因此如何获得准确的温升Tj成为计算热导率的关键问题。已有的研究表明,拉曼谱峰与所测试样的温度间有一种对应关系,即谱峰位置随样品温度的变化而平移,因此只要找出两者间确切的关系曲线即可通过拉曼谱峰位置推算出准确的Tj值。为了得到此关系曲线,测试中预先利用控温台将试样加热到不同温度,为不影响控温的准确性,应将扫描的激光调到不会引起试样的显著温升的较低功率,然后分别测量不同温度下试样的拉曼谱峰位置,即可通过几个数据点拟合出一条温度与谱峰之间的关系曲线。最后将室温条件下采用较大功率激光测量得到的拉曼谱峰位置与所得的关系曲线对照,即可求出其对应的局部温升Tj(由于拉曼光谱谱峰位置存在±1 cm-1的偏差,造成Tj值有一定误差)。将Tj与其它已知参数带入式1中即可求出热导率值。 3 纳米多孔硅的热导率 所采用的硅片型号为P型(100)单晶硅片,厚度为380~420 μm,电阻率为1~2×10-2Ω·cm。用双槽电化学腐蚀法制备出孔隙率与厚度不同的4个试样,其制备条件与各项参数如表1所列。多孔硅孔隙率采用称重法算出,多孔硅厚度是将多孔硅层腐蚀后采用德国产的DEKTAK 3030型表面轮廓仪测量得出。显微拉曼光谱仪采用英国Renishaw公司生产的RM2000型,拉曼位移范围100~4 000 cm-1,光谱分辨率为1 cm-1,采用的氩离子激光波长为514 nm,束斑直径为5 μm,激光最大功率为4.7 mW,用于测量关系曲线所采用的较小激光功率为1.2 mW。 首先,为得出四个多孔硅试样拉曼谱峰位置与温度间的关系曲线,分别将每个多孔硅试样放在控温台上加热,并在300 K、350K、 450 K和550 K四个温度下采用1.2 mW低功率的激光对每个试样进行了拉曼谱峰的扫描,分别得到四个试样谱峰位置与温度间的关系曲线。结果发现,对于不同腐蚀条件下制备出的多孔硅试样,其关系曲线都反映出相同的趋势,即拉曼谱峰随温度的升高而向左平移,且其拉曼谱峰位置与温度间都呈现出较好的