童诗白《模拟电子技术基础》（第5版）配套题库【考研真题精选＋章节题库】.pdf

第一部分　考研真题精选 一、选择题 1以下说法正确的是（　　）。[中山大学2018年研] A．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体 B．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电 C．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的 D．若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，则其输入电阻会明显变小 【答案】A查看答案 【解析】B项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；C项，放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，而非多子；D项，若耗尽型N沟道MOS管的uGS大于零，其输入电阻并不会有明显变化。 2当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（　　）。[中山大学2018年研] A．增大 B．不变 C．变小 【答案】A查看答案 【解析】低频跨导gm为ΔID与ΔuGS之比，当漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，显然gm增大。 3PN结加正向电压，空间电荷区将（　　）。[中山大学2017年研] A．变窄 B．基本不变 C．变宽 【答案】A查看答案 【解析】PN结外加正向电压，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，中和了其中部分负、正离子，结果使得PN结变窄。 4二极管的电流方程为（　　）。[中山大学2017年研] A．IseU B． C． 【答案】C查看答案 【解析】二极管的I－V特性方程为 其中，n为发射系数，其值在1～2之间，通常取1，则 5UGS＝0时，能够工作在恒流区的场效应管有（　　）和（　　）。[中山大学2017年研] A．结型管 B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管 【答案】A；C查看答案 【解析】N型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为UGS＞UGSth，UGSth为负。而增强型MOS管的开启条件为UGS＞UGSth，UGSth为正。P型结型管和耗尽型MOS管的开启条件为UGS＜UGSth，UGSth为正。而增强型MOS管的开启条件为UGS＜UGSth，UGSth为负。综上，结型管和耗尽型MOS管符合题目要求。 6晶体管的共基截止频率、共射截止频率、特征频率fα、fβ、fT之间的关系是（　　）。[北京邮电大学2016年研] A．fα＞fβ＞fT B．fα＜fβ＜fT C．fβ＜fα＜fT D．fβ＜fT＜fα 【答案】D查看答案 【解析】fβ表示晶体管（共射）截止频率，特征频率fT＝βfβ，共基截止频率fα＝（β＋1）fβ，β＞1，所以fβ＜fT＜fα。 7（多选）以下说法错误的是（　　）。[北京邮电大学2016年研] A．N型半导体的多子是自由电子，因此该类半导体带负电 B．PN结有内建电场，因此即使没有外加电压，也会形成电流 C．处于放大状态的晶体管，集电极的电流主要来自于发射区的多子 D．二极管一旦发生击穿，就损坏不能使用了 【答案】ABCD查看答案 【解析】A项，N型半导体虽然多子是自由电子，但不带电；B项，PN结本身就是动态平衡的产物，因此无外加电压时，其动态平衡并未打破，所以没有电流；C项，晶体管放大状态下集电结反偏，促进非平衡少子漂移运动，集电极的电流主要来自于少子而非多子；D项，反向击穿不一定损坏，如果在限流情况下，虽然击穿，但电流不大，在降压后是可逆的，二极管仍可以正常使用。 8二极管电路如图1-1-1，设二极管导通压降0.7V，则A点的电位是（　　）。[山东大学2017年研] 图1-1-1 A．4.3V B．1V C．2.1V 【答案】B查看答案 【解析】若A点电位为4.3V，则所有二极管均导通，而0.3＋0.7V＝1V≠4.3V，所以A项矛盾，同理C项排除。 9稳压管电路如图1-1-2，设稳压管稳压值为5V，忽略稳压管的正向导通压降，Ui＝25V，则IZ＝（　　）。[山东大学2017年研] 图1-1-2 A．8mA B．10mA C．5mA 【答案】C查看答案 【解析】稳压管反向导通，稳压值为5V，IZ＝（25－5）/2000－5/1000＝5mA。 10三极管放大电路如图1-1-3所示，设此电路静态工作点不合适使输出信号出现了饱和失真，应该（　　）来改善失真。[山东大学2019年研] 图1-1-3 A．增大Rb B．减小Rb C．增加RC 【答案】A查看答案 【解析】若静态工作点过高，则输入信号的正半周，晶体管进入饱和区工作，ib、ic、uce的波形会出现严重失真，输出波形uo底部将被削平，这种失真称为饱和失真；消除饱和失真的方法是降低Q点，如减小电源电压VCC增加Rb、减小RC或增大交流负载线斜率等。 11已知多级放大电路由多个基本放大电路级联组成，包括输入级、中间放大级、输出级。那么，互补输出级采用共集形式是为了（　　）。[中山大学2018年研] A．电压放大倍数大 B．不失真输出电压大 C．带负